参数资料
型号: SDED7-256M-N9T
厂商: SANDISK CORP
元件分类: 存储控制器/管理单元
英文描述: FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115
封装: 12 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-115
文件页数: 76/87页
文件大小: 1675K
代理商: SDED7-256M-N9T
Rev. 1.2
Product Specifications
mDOC H3 EFD Featuring Embedded TrueFFS Data Sheet
78
92-DS-1205-10
Table 23: Power-Up Timing Parameters
Symbol
Description
Min
Max
Units
TREC (VCC-RSTIN)
VCC/VCCQ stable to RSTIN#
1
500
μs
TW (RSTIN)
RSTIN# asserted pulse width
50
ns
TP (BUSY0)
RSTIN#
to BUSY#
50
ns
TP (BUSY1)
RSTIN#
to BUSY#
3
75
ms
TP (VCC-BUSY0)
VCC/VCCQ stable to BUSY#
500
μs
Tsu (RSTIN-AVD)
RSTIN#
to AVD#
2
3
μs
Tsu (BUSY-CE)
BUSY#
to CE#
0
μs
Trise (RSTIN)
RSTIN# rise time
20
ns
Notes: 1. Specified from the final positive crossing of VCC/VCC1/VCC2/VCCQ minimum
voltages.
2. Applies to multiplexed interface only.
3. TP (BUSY1) depends on IPL mode (Normal / Paged ) and device capacity. For
unformatted devices this time may be up to one second.
Figure 34: Reset Timin
g
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PDF描述
SDED7-256M-N9Y FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115
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