参数资料
型号: SDED7-256M-N9T
厂商: SANDISK CORP
元件分类: 存储控制器/管理单元
英文描述: FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115
封装: 12 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-115
文件页数: 33/87页
文件大小: 1675K
代理商: SDED7-256M-N9T
Rev. 1.2
Embedded TrueFFS Technology
mDOC H3 EFD Featuring Embedded TrueFFS Data Sheet
39
92-DS-1205-10
6.5
8KB Memory Window
For the purposes of backward compatibility, mDOC H3 can present an 8KB memory window in
the CPU address space, depicted in Figure 9. The addresses described here are relative to the
absolute starting address of the 8KB memory window.
The 2KB Programmable Boot Block (XIP) in section 0 is aligned to address 0000H.
Address 0800H + Offset is the base address for the H3 registers used for communication with the
mDOC H3 device (excluding the Paged RAM registers).
IPL RAM
(Host XIP)
0000h
2K
8K window
RSRVD
1800h
4K
2K
H3 Registers
0800h
1FFFh
Sec
tion
0
S
e
cti
o
n
1
Sect
ion
2
Figure 9: mDOC H3 8KB Memory Map
相关PDF资料
PDF描述
SDED7-256M-N9Y FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115
SPMC68336AVFT20 32-BIT, MROM, 20.97 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP160
SPMC68336GCFT20 32-BIT, MROM, 20.97 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP160
SC104002VPVR2 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112
S9S12XF512J0MLH MICROCONTROLLER, QFP64
相关代理商/技术参数
参数描述
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SDED7-512M-NAT 功能描述:IC MDOC H3 512MB FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDED7-512M-NAY 功能描述:IC MDOC H3 512MB FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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