参数资料
型号: SDED7-256M-N9T
厂商: SANDISK CORP
元件分类: 存储控制器/管理单元
英文描述: FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115
封装: 12 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-115
文件页数: 69/87页
文件大小: 1675K
代理商: SDED7-256M-N9T
Rev. 1.2
Product Specifications
mDOC H3 EFD Featuring Embedded TrueFFS Data Sheet
71
92-DS-1205-10
A0
D0
Tdh
Tdsu
Tah
Tasu
Tavdwe
Tavd
Tw(weh)
Tw(wel)
Tw(weh)
Tw(wel)
CE
WE
AVD
Data
Table 15: Multiplexed Asynchronous Read Timing Parameters
1.8V
3.3V
Symbol
Description
Min
Max
Min
Max
Units
Tasu
Address setup
3
2
ns
Tah
Address hold
5
ns
Taccs
Access time
15
13
ns
Tdh
Data hold
1.5
1.4
ns
Tavd
AVD# pulse width
6
ns
Tw(oel)
OE# low pulse width
15
ns
Tw(oeh)
OE# high pulse width
10
ns
Tavdoe
AVD rising to OE falling
6
ns
10.3.5 Multiplexed Asynchronous Write Timing
Figure 26: Multiplexed Asynchronous Write Timing Diagram
Table 16:
Multiplexed
Asynchronous
Write Timing Parameters
1.8V
3.3V
Symbol
Description
Min
Max
Min
Max
Units
Tasu
Address setup
3
2
ns
Tah
Address hold
5
ns
Tdsu
Data setup time
12
11
ns
Tdh
Data hold
0
ns
Tavd
AVD# pulse width
6
ns
Tw(wel)
WE# low pulse width
WE# should be negated
before or together with
CE#
15
ns
Tw(weh)
WE# high pulse width
5
ns
Tavdwe
AVD rising to WE falling
1
ns
相关PDF资料
PDF描述
SDED7-256M-N9Y FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115
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