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参数资料
| 型号： | SDED7-256M-N9T |
| 厂商： | SANDISK CORP |
| 元件分类： | 存储控制器/管理单元 |
| 英文描述： | FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115 |
| 封装： | 12 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-115 |
| 文件页数： | 56/87页 |
| 文件大小： | 1675K |
| 代理商： | SDED7-256M-N9T |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页当前第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页
Rev. 1.2
mDOC H3 EFD Featuring Embedded TrueFFS Data Sheet
6
92-DS-1205-10
Doc. No
Revision
Date
Description
Reference
Ordering information modified
Section 11
Refer to Standard Interface as
Demux
Entire Document
Current/Power consumption
numbers modified
Highlights and Section
Number of partitions available
changed from 10 to 14
Highlights and Section
Note that CLK should be half-
frequency at Power-Save mode
Section 10.3
Added clarifications about
capacitor requirements for different
voltage configurations
Section 9.5
Marking section added
Section 0
BUSY#, DMARQ# and IRQ#:
changed from CMOS 3-STATE to
CMOS output and added
clarification about pull ups
Key size modified
Section 4
Modes of operation section
enhanced
Section 5
mDOC H3 registers section
updated
Section 7
GPIO_TIMER and WARM_RST#
description updated
Entire Document
Synchronous Burst Operation
description modified
Section 9.8.2
Storage temperature modified and
section enhanced
Section 10.2.1
Demux asynchronous read access
time modified; Tdh max added;
Tah, Tw(oeh) and Tw(oel) added
Section 10.3.2
Demux asynchronous write timing
– Tw(wel) and Tw(weh) added
Section 10.3.2
Demux burst read minimal clock
cycle time modified
Section 10.3.6
Mechanical dimensions tolerance
corrected
Section 10.4
Power up timing section updated
Section 10.3.12
Max input fall and rise time info
added
Section 10.3.1
1.0
February 2007
Figure modified
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDED7-256M-N9Y | FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115 |
| SPMC68336AVFT20 | 32-BIT, MROM, 20.97 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP160 |
| SPMC68336GCFT20 | 32-BIT, MROM, 20.97 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP160 |
| SC104002VPVR2 | 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| S9S12XF512J0MLH | MICROCONTROLLER, QFP64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDED7-256M-N9Y | 功能描述:IC MDOC H3 256MB FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDED7-512M-NAT | 功能描述:IC MDOC H3 512MB FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDED7-512M-NAY | 功能描述:IC MDOC H3 512MB FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| SDEG-15P | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:STRAIGHT/METAL PCB D-SUB |
| SDEG-15P05 | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:STRAIGHT/METAL PCB D-SUB |
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