参数资料
型号: SDED7-256M-N9T
厂商: SANDISK CORP
元件分类: 存储控制器/管理单元
英文描述: FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115
封装: 12 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-115
文件页数: 63/87页
文件大小: 1675K
代理商: SDED7-256M-N9T
Rev. 1.2
Product Specifications
mDOC H3 EFD Featuring Embedded TrueFFS Data Sheet
66
92-DS-1205-10
10.2.3.2
3.3V Core, 1.8V I/O
Table 10: 3.3V Core, 1.8V I/O
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VCCQ
I/O power supply
1.65
1.8
1.95
V
VCC2
Internal supply
2.7
3.3
3.6
V
VCC
Device supply
2.7
3.3
3.6
V
VCC1
Internal supply
NC
-
VIH
Input High-level Voltage
0.65*
VCCQ
0.3+
VCCQ
V
VIL
Input Low-level Voltage
-0.3
0.35*
VCCQ
V
II
Input Leakage Current
0≤VIN≤VCCQ
-10
10
uA
IOZ
Tri-State output leakage current
0≤VIN≤VCCQ
-10
10
uA
Vhys
Hysteresis
Schmidt trigger
inputs
400
mV
VOH
High-level Output Voltage
IOH=4mA-
12mA
VCCQ-
0.45
V
VOL
Low-level Output Voltage
IOH=4mA-
12mA
0.45
V
PU
Pull up resistance
95
149
261
k
PD
Pull down resistance
77
135
312
k
Turbo mode
30
60
Icc
3
Active supply current
1
Power Save
mode
20
40
mA
Standby mode
5
10
mA
ICCS
3
Standby supply current
1
DPD mode
60
130
uA
Notes: 1. Sum of all current on VCC, VCCQ and VCC2 balls. CL = 0 pF. T=25C.
2. For all products with ordering info SDE-ZZ-XXXY-BBB, Icc and Iccs parameters are
estimations.
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PDF描述
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