参数资料
| 型号： | W25Q64FVSSIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 76/89页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SPI FLASH 64MBIT 8SOIC |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（8M x 8） |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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W25Q64FV
AC Electrical Characteristics (cont’d)
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
t CHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
/HOLD to Output High-Z
Write Protect Setup Time Before /CS Low
Write Protect Hold Time After /CS High
/CS High to Power-down Mode
/CS High to Standby Mode without Electronic Signature
t HHQX (2)
t HLQZ (2)
t WHSL (3)
t SHWL (3)
t DP (2)
t RES 1 (2)
t LZ
t HZ
20
100
7
12
3
3
ns
ns
ns
ns
μs
μs
Read
/CS High to Standby Mode with Electronic Signature
t RES 2 (2)
3
μs
Read
/CS High to next Instruction after Suspend
/CS High to next Instruction after Reset
t SUS (2)
t RST (2)
20
30
μs
μs
Write Status Register Time
Byte Program Time (First Byte)
Additional Byte Program Time (After First Byte)
Page Program Time
t W
t BP1(4)
t BP2(4)
t PP
15
20
2.5
0.7
20
50
10
3
ms
μs
μs
ms
W25Q64FVxxIG
60
Sector Erase Time (4KB)
Block Erase Time (32KB)
Block Erase Time (64KB)
Chip Erase Time
W25Q64FVxxIQ &
W25Q64FVxxIF
t SE
t BE 1
t BE 2
t CE
45
120
150
20
400
1,600
2,000
100
ms
ms
ms
s
Notes:
1. Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/f C .
2. Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3. Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when SRP[1:0]=(0,1).
4. For multiple bytes after first byte within a page, t BPN = t BP1 + t BP2 * N (typical) and t BPN = t BP1 + t BP2 * N (max), where N = number
of bytes programmed.
5. 4-bytes address alignment for QPI/Quad Read
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