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参数资料
| 型号： | M68HC705UGANG |
| 厂商： | 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 |
| 英文描述： | High-density complementary metal oxide semiconductor (HCMOS) microcontroller unit |
| 中文描述： | 高密度互补金属氧化物半导体（HCMOS）微控制器 |
| 文件页数： | 27/112页 |
| 文件大小： | 809K |
| 代理商： | M68HC705UGANG |
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MC68HC05BD3
3-1
MEMORY AND REGISTERS
3
3
MEMORY AND REGISTERS
The MC68HC05BD3/MC68HC705BD3/MC68HC05BD5 has a 16K-byte memory map consisting
of registers, user ROM/EPROM user RAM, self-check/bootstrapROM, and I/O as shown in
Figure 3-1.
3.1
Registers
All the I/O, control and status registers of the MC68HC05BD3 are contained within the first 48-byte
block of the memory map (address $0000 to $002F).
3.2
RAM (MC68HC05BD3)
The user RAM consists of 128 bytes of memory, from $0080 to $00FF. This is shared with a 64
byte stack area. The stack begins at $00FF and counts down to $00C0.
3.3
RAM (MC68HC705BD3/MC68HC05BD5)
The user RAM consists of 256 bytes of memory, from $0080 to $017F. This is shared with a 64
byte stack area. The stack begins at $00FF and counts down to $00C0.
Note:
Using the stack area for data storage or temporary work locations requires care to
prevent the data from being overwritten due to stacking from an interrupt or subroutine
call.
TPG
25
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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