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参数资料
| 型号： | M68HC705UGANG |
| 厂商： | 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 |
| 英文描述： | High-density complementary metal oxide semiconductor (HCMOS) microcontroller unit |
| 中文描述： | 高密度互补金属氧化物半导体（HCMOS）微控制器 |
| 文件页数： | 92/112页 |
| 文件大小： | 809K |
| 代理商： | M68HC705UGANG |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页当前第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页
11-4
MC68HC05BD3
OPERATING MODES
11
11.3
Bootstrap Mode
The bootstrap mode is provided in the EPROM part (MC68HC705BD3) as a mean of
self-programming its EPROM with minimal circuitry. It is entered on the rising edge of RESET if
IRQ pin is at 1.8V
DD
and PB5 is at logic one. RESET must be held low for 4064 cycles after POR
(power-on reset) or for a time t
RL
for any other reset. The user EPROM consists of 7.75K-bytes,
from location $2000 to $3EFF
Refer to Section 15 for further details on MC68HC705BD3.
Table 11-2
Self-Check Report
PB3
PB1
Flashing
1
0
0
1
PB0
REMARKS
O.K. (self-check is on-going)
Bad I/O
BAD RAM
BAD ROM
BAD IRQ
1
1
1
0
0
1
0
1
1=LED off, 0=LED on
TPG
90
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M68TC11E20B56 | HC11 Microcontrollers |
| M68Z128W-70N1T | 3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| M68HC705X16PGMR | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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| M68HC711CFG/D | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:CONFIG REGISTER PROGRAMMING FOR EEPROM-BASED MHC MICROCONTROLLERS |
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