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参数资料
| 型号： | MCR705JP7CDWE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 22/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 224B RAM 28-SOIC |
| 标准包装： | 26 |
| 系列： | HC05 |
| 核心处理器： | HC05 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 2.1MHz |
| 连通性： | SIO |
| 外围设备： | POR，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 22 |
| 程序存储器容量： | 6KB（6K x 8） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 224 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
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Personality EPROM (PEPROM)
MC68HC705JJ7 MC68HC705JP7 Advance Information Data Sheet, Rev. 4.1
118
Freescale Semiconductor
12.4 PEPROM Reading
This sequence shows how to read the PEPROM:
1.
Select a bit by writing to the PEBSR.
2.
Read the PEDATA bit in the PESCR.
3.
Store the PEDATA bit in RAM or in a register.
4.
Select another bit by changing the PEBSR.
5.
Continue reading and storing the PEDATA bits until the required personality EPROM data is
retrieved and stored.
Reading the PEPROM is easiest when each PEPROM column contains one byte. Selecting a row 0 bit
selects the first bit, and incrementing the PEPROM bit select register (PEBSR) selects the next bit in row
1 from the same column. Incrementing PEBSR seven more times selects the remaining bits of the column
and ends up selecting the bit in row 0 of the next column, thereby setting the row 0 flag, PEPRZF.
NOTE
A PEPROM byte that has been read can be transferred to the personality
EPROM bit select register (PEBSR) as a temporary storage location such
that subsequent reads of the PEBSR quickly yield that PEPROM byte.
12.5 PEPROM Erasing
MCUs with windowed packages permit PEPROM erasing with ultraviolet light. Erase the PEPROM by
exposing it to 15 Ws/cm2 of ultraviolet light with a wavelength of 2537 angstroms. Position the ultraviolet
light source 1 inch from the window. Do not use a shortwave filter. The erased state of a PEPROM bit is
a logic 0.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCHC705JP7CDWE | IC MCU 8BIT 224 BYTES RAM 28SOIC |
| LF13WBJ-20P | CONN JACK WATERPROOF 20POS MALE |
| MK20DX128VMP5 | IC ARM CORTEX MCU 128KB 64BGA |
| MC908AP8ACBE | IC MCU 8K FLASH 8MHZ 42-SDIP |
| VE-2N2-IY-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCR706A | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers |
| MCR706AT4 | 功能描述:SCR 400V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| MCR706AT4G | 功能描述:SCR THY 4A 400V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| MCR707A | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers |
| MCR708A | 功能描述:SCR 600V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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