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参数资料
| 型号： | MCR705JP7CDWE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 23/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 224B RAM 28-SOIC |
| 标准包装： | 26 |
| 系列： | HC05 |
| 核心处理器： | HC05 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 2.1MHz |
| 连通性： | SIO |
| 外围设备： | POR，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 22 |
| 程序存储器容量： | 6KB（6K x 8） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 224 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
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MC68HC705JJ7 MC68HC705JP7 Advance Information Data Sheet, Rev. 4.1
Freescale Semiconductor
119
Chapter 13
EPROM/OTPROM
13.1 Introduction
This section describes how to program the 6160-byte erasable programmable read-only
memory/one-time programmable read-only memory (EPROM/OTPROM), the mask option register
(MOR), and the EPROM security bit (EPMSEC).
NOTE
In packages with no quartz window, the EPROM functions as one-time
programmable ROM (OTPROM).
13.2 EPROM Registers
The EPROM programming register (EPROG) controls the actual programming of the EPROM bytes and
the mask option register (MOR). The MOR controls eight mask options found on the read-only memory
(ROM) version of this microcontroller unit (MCU). There is an additional EPROM bit (EPMSEC) located
at the computer operating properly (COP) address to provide EPROM array security.
13.2.1 EPROM Programming Register
The EPROM programming register (EPROG) shown in Figure 13-1 contains the control bits for
programming the EPROM. In normal operation, the EPROM programming register contains all logic 0s.
EPGM — EPROM Programming Bit
This read/write bit applies the voltage from the IRQ/VPP pin to the EPROM. To write the EPGM bit, the
ELAT bit must already be set. Clearing the ELAT bit also clears the EPGM bit. Reset clears EPGM.
1 = EPROM programming power switched on
0 = EPROM programming power switched off
MPGM — Mask Option Register (MOR) Programming Bit
This read/write bit applies programming power from the IRQ/VPP pin to the MOR. Reset clears MPGM.
1 = MOR programming power switched on
0 = MOR programming power switched off
Address:
$001C
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
00000
ELAT
MPGM
EPGM
Write:
RRRR
Reset:
00000000
= Unimplemented
R
= Reserved for test
Figure 13-1. EPROM Programming Register (EPROG)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCHC705JP7CDWE | IC MCU 8BIT 224 BYTES RAM 28SOIC |
| LF13WBJ-20P | CONN JACK WATERPROOF 20POS MALE |
| MK20DX128VMP5 | IC ARM CORTEX MCU 128KB 64BGA |
| MC908AP8ACBE | IC MCU 8K FLASH 8MHZ 42-SDIP |
| VE-2N2-IY-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCR706A | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers |
| MCR706AT4 | 功能描述:SCR 400V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| MCR706AT4G | 功能描述:SCR THY 4A 400V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| MCR707A | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers |
| MCR708A | 功能描述:SCR 600V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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