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参数资料
| 型号： | MCR705JP7CDWE |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 62/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 224B RAM 28-SOIC |
| 标准包装： | 26 |
| 系列： | HC05 |
| 核心处理器： | HC05 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 2.1MHz |
| 连通性： | SIO |
| 外围设备： | POR，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 22 |
| 程序存储器容量： | 6KB（6K x 8） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 224 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页当前第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页
Electrical Specifications
MC68HC705JJ7 MC68HC705JP7 Advance Information Data Sheet, Rev. 4.1
154
Freescale Semiconductor
15.15 SIOP Timing (VDD = 3.0 Vdc)
15.16 Reset Characteristics
Figure 15-12. Typical Falling Low Voltage Reset
Characteristic(1)
1. +2.7
≤ VDD ≤ +3.3 V, VSS = 0 V, TL ≤ TA ≤ TH, unless otherwise noted
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Frequency of operation
Master
Slave
fSIOP(M)
fSIOP(S)
0.25 x fOP
dc
0.25 x fOP
—
0.25 x fOP
525
kHz
Cycle time
Master
Slave
tSCK(M)
4.0 x tcyc
—
4.0 x tcyc
—
4.0 x tcyc
1.9
s
Clock (SCK) low time (fOP = 2.1 MHz)
tSCKL
1905
—
ns
SDO data valid time
tV
—
400
ns
SDO hold time
tHO
0—
—
ns
SDI setup time
tS
200
—
ns
SDI hold time
tH
200
—
ns
Characteristic(1)
1. +2.7
≤ VDD ≤ +3.3 V, VSS = 0 V, TL ≤ TA ≤ TH, unless otherwise noted
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Low-voltage reset
Rising recovery voltage
Falling reset voltage
LVR hysteresis
VLVRR
VLVRF
VLVRH
2.4
2.3
30
3.4
3.3
70
4.4
4.3
—
V
mV
POR recovery voltage(2)
2. By design, not tested
VPOR
0
—
100
mV
POR VDD slew rate
(2)
Rising(2)
Falling(2)
SVDDR
SVDDF
—
0.1
0.05
V/
s
RESET pulse width (when bus clock active)
tRL
1.5
—
tCYC
RESET pulldown pulse width from internal reset
tRPD
3—4
tCYC
2.5
3
3.5
4
4.5
–45
–35
–25
–15
–5
5
1525354555
65758595
TEMPERATURE IN
°C
RES
ET
VOLTAGE
IN
VOL
T
S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCHC705JP7CDWE | IC MCU 8BIT 224 BYTES RAM 28SOIC |
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| MC908AP8ACBE | IC MCU 8K FLASH 8MHZ 42-SDIP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCR706A | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers |
| MCR706AT4 | 功能描述:SCR 400V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| MCR706AT4G | 功能描述:SCR THY 4A 400V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| MCR707A | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers |
| MCR708A | 功能描述:SCR 600V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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