参数资料
型号: MCR705JP7CDWE
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 60/164页
文件大小: 0K
描述: MCU 8BIT 224B RAM 28-SOIC
标准包装: 26
系列: HC05
核心处理器: HC05
芯体尺寸: 8-位
速度: 2.1MHz
连通性: SIO
外围设备: POR,温度传感器,WDT
输入/输出数: 22
程序存储器容量: 6KB(6K x 8)
程序存储器类型: OTP
RAM 容量: 224 x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd): 2.7 V ~ 5.5 V
数据转换器: A/D 4x12b
振荡器型: 内部
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
包装: 管件
Electrical Specifications
MC68HC705JJ7 MC68HC705JP7 Advance Information Data Sheet, Rev. 4.1
152
Freescale Semiconductor
15.13 PEPROM and EPROM Programming Characteristics
NOTE
To program the EPROM/OTPROM, MOR, or EPMSEC bits, the voltage on
VDD must be greater than 4.5 volts.
Characteristic(1)
1. +4.5
≤ VDD ≤ +5.5 V, VSS = 0 V, TL ≤ TA ≤ TH, unless otherwise noted
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
PEPROM programming voltage (IRQ/VPP)VPP
16.0
16.5
17.0
V
PEPROM programming voltage (IRQ/VPP)IPP
—3.0
5.0
mA
PEPROM programming time per bit
tEPGM
4.0
ms
EPROM/MOR programming voltage (IRQ/VPP)VPP
16.0
16.5
17.0
V
EPROM/MOR programming current (IRQ/VPP)IPP
—3.0
5.0
mA
EPROM programming time per byte
tEPGM
4.0
ms
MOR programming time
tMPGM
10.0
ms
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PDF描述
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MCR706AT4 功能描述:SCR 400V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
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