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参数资料
| 型号： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
| 封装： | FBGA-54 |
| 文件页数： | 17/55页 |
| 文件大小： | 816K |
| 代理商： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
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2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
ADVANCE
09005aef80ec6f63
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_32.fm - Rev. A 2/18/04 EN
24
2004 Micron Technology, Inc. All Rights Reserved.
NOTE:
ITCR (MAX) values measured with PAR set to FULL ARRAY.
NOTE:
IPAR (MAX) values measured with TCR set to 85°C.
Table 11:
Temperature Compensated Refresh Specifications and Conditions
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
POWER
MAX CASE
TEMPERATURE
SETTING (RCR[6:5])
MAX
UNITS
Temperature
Compensated
Refresh Standby
Current
VIN = VCCQ or 0V
CE# = VCCQ
ITCR
Standard
Power
(no desig.)
+85°C
110
A
+45°C
TBD
+15°C
TBD
Low-Power
Option (L)
+85°C
90
A
+45°C
TBD
+15°C
TBD
Table 12:
Partial Array Refresh Specifications and Conditions
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
POWER
ARRAY PARTITION
MAX
UNITS
Partial Array
Refresh Standby
Current
VIN = VCCQ or 0V,
CE# = VCCQ
IPAR
Standard
Power
(no desig.)
Full
110
A
3/4
TBD
1/2
TBD
1/4
TBD
0TBD
Low-Power
Option (L)
Full
90
A
3/4
TBD
1/2
TBD
1/4
TBD
0TBD
Table 13:
Deep Power-Down Specifications
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
UNITS
Deep Power-Down
VIN = VCCQ or 0V; +25°C
IZZ
10
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT28C128532W30EBW-F705P856BTWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| M93C66-MB6TP | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
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| MS8256FKXA-12 | 256K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120 ns, DMA32 |
| MT46V32M16BN-75IT | 32M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MT45W2MW16BABB-706 L WT TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM ASYNC 1 32MBIT 2MX16 70NS 54VFBGA - Tape and Reel |
| MT45W2MW16BABB-706 WT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM Async 1 32M-Bit 2M x 16 70ns 54-Pin VFBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM ASYNC 1 32MBIT 2MX16 70NS 54VFBGA - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA |
| MT45W2MW16BABB-706 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 |
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