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参数资料
| 型号： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
| 封装： | FBGA-54 |
| 文件页数： | 43/55页 |
| 文件大小： | 816K |
| 代理商： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
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2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
ADVANCE
09005aef80ec6f63
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_32.fm - Rev. A 2/18/04 EN
48
2004 Micron Technology, Inc. All Rights Reserved.
Figure 40: Burst READ Followed by Asynchronous WRITE (WE#-Controlled)
A[20:0]
VIH
VIL
ADV#
VIH
VIL
CE#
VIH
VIL
OE#
VIH
VIL
WE#
VIH
VIL
WAIT
DQ[15:0]
VOH
VOL
CLK
VIH
VIL
VOH
VOL
tSP
tCLK
tACLK
tCEW
tHD
tABA
tAW
tCW
tCEM
tWR
VALID
OUTPUT
VALID
ADDRESS
High-Z
tKOH
tDW
tOHZ
tSP
tHD
LB#/UB#
VIH
VIL
tCSP
High-Z
tOLZ
tHD
tWP
tWPH
tAS
tDH
tHZ
tHD
tBW
tSP
tHZ
tHD
tSP
UNDEFINED
DON’T CARE
READ Burst Identified
(WE# = HIGH)
tWC
tKHTL
tBOE
VALID
ADDRESS
VALID
INPUT
High-Z
tCEW
tCBPH
Table 41:
Burst READ Timing Parameters
SYMBOL
-701
-706, -856
UNITS
SYMBOL
-701
-706, -856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tABA
35
55
ns
tHD
22
ns
tACLK
6.5
10
ns
tHZ
8
ns
tBOE
20
ns
tKHTL
6.5
10
ns
tCBPH
55
ns
tKOH
2
ns
tCEW
17.5
1
7.5
ns
tOHZ
8
ns
tCLK
9.62
20
15
20
ns
tSP
33
ns
tCSP
4205
20
ns
Table 42:
Asynchronous WRITE Timing Parameters—WE# Controlled
SYMBOL
-701, -706
-856
UNITS
SYMBOL
-701, -706
-856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tAS
00
ns
tDW
23
ns
tAW
70
85
ns
tHZ
88
ns
tBW
70
85
ns
tWC
70
85
ns
tCEM
10
s
tWP
46
55
ns
tCW
70
85
ns
tWPH
10
ns
tDH
00
ns
tWR
0
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| MT45W2MW16BABB-706 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 |
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