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参数资料
| 型号： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
| 封装： | FBGA-54 |
| 文件页数： | 7/55页 |
| 文件大小： | 816K |
| 代理商： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
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2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
ADVANCE
09005aef80ec6f63
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_32.fm - Rev. A 2/18/04 EN
15
2004 Micron Technology, Inc. All Rights Reserved.
Figure 12: Configuration Register WRITE in Asynchronous Mode
Followed by READ ARRAY Operation
NOTE:
1. A[19] = LOW to load RCR; A[19] = HIGH to load BCR.
Figure 13: Configuration Register WRITE in Synchronous Mode
Followed by READ ARRAY Operation1
NOTE:
1. Non-default BCR settings: Latency code two (three clocks); WAIT active LOW; WAIT asserted during delay.
2. A[19] = LOW to load RCR; A[19] = HIGH to load BCR.
3. CE# must remain LOW to complete a burst-of-one WRITE. WAIT must be monitored—additional WAIT cycles caused by refresh
collisions require a corresponding number of additional CE# LOW cycles.
A[20:0]
(except A19)
CLK
OPCODE
ADDRESS
DATA VALID
A191
ADV#
CE#
OE#
WE#
LB#/UB#
DQ[15:0]
Initiate Control Register Access
Write Address Bus Value
to Control Register
CRE
tAVS
tAVH
tAVS
tVP
tVPH
tCBPH
tWP
tCW
DON’T CARE
Select Control Register
CLK
A[20:0]
(except A19)
A192
CRE
ADV#
CE#
OE#
WE#
LB#/UB#
WAIT
DQ[15:0]
tSP
tHD
tCSP
tSP
tHD
High-Z
DON’T CARE
OPCODE
ADDRESS
High-Z
tCW
Latch Control Register Value
Latch Control Register Address
tCBPH3
DATA
VALID
ADDRESS
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PDF描述 |
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| MT45W2MW16BABB-706 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 |
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