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参数资料
| 型号： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
| 封装： | FBGA-54 |
| 文件页数： | 21/55页 |
| 文件大小： | 816K |
| 代理商： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
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2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
ADVANCE
09005aef80ec6f63
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_32.fm - Rev. A 2/18/04 EN
28
2004 Micron Technology, Inc. All Rights Reserved.
NOTE:
1. See the Appendix at the end of this data sheet.
2. Low-Z to High-Z timings are tested with the circuit shown in Figure 21 on page 25. The High-Z timings measure a
100mV transition from either VOH or VOL toward VCCQ/2.
3. High-Z to Low-Z timings are tested with the circuit shown in Figure 21 on page 25. The Low-Z timings measure a
100mV transition away from the High-Z (VCCQ/2) level toward either VOH or VOL.
Table 18:
Asynchronous WRITE Cycle Timing Requirements
PARAMETER
SYMBOL
-701, -706
-856
UNITS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
Address and ADV# LOW Setup Time
tAS
00
ns
Address Hold from ADV# Going HIGH
tAVH
55
ns
Address Setup to ADV# Going HIGH
tAVS
10
ns
Address Valid to End of Write
tAW
70
85
ns
LB#/UB# Select to End of Write
tBW
70
85
ns
Maximum CE# Pulse Width
tCEM
10
s
1
CE# LOW to WAIT Valid
tCEW
1
7.5
1
7.5
ns
Async Address-to-Burst Transition Time
tCKA
70
85
ns
CE# Low to ADV# HIGH
tCVS
10
ns
Chip Enable to End of Write
tCW
70
85
ns
Data Hold from Write Time
tDH
00
ns
Data WRITE Setup Time
tDW
23
ns
1
Chip Disable to WAIT High-Z Output
tHZ
88
ns
Chip Enable to Low-Z Output
tLZ
10
ns
3
End WRITE to Low-Z Output
tOW
55
ns
3
ADV# Pulse Width
tVP
10
ns
ADV# Pulse Width HIGH
tVPH
10
ns
ADV# Setup to End of WRITE
tVS
70
85
ns
WRITE Cycle Time
tWC
70
85
ns
WRITE to DQ High-Z Output
tWHZ
88
ns
2
WRITE Pulse Width
tWP
46
55
ns
1
WRITE Pulse Width HIGH
tWPH
10
ns
WRITE Recovery Time
tWR
00
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MT45W2MW16BABB-706 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 |
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