- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录262949 > MT45W2MV16BAFB-706LIT 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
| 封装： | FBGA-54 |
| 文件页数： | 44/55页 |
| 文件大小： | 816K |
| 代理商： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页当前第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页
2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
ADVANCE
09005aef80ec6f63
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_32.fm - Rev. A 2/18/04 EN
49
2004 Micron Technology, Inc. All Rights Reserved.
Figure 41: Burst READ Followed by Asynchronous WRITE Using ADV#
A[20:0]
VIH
VIL
ADV#
VIH
VIL
CE#
VIH
VIL
OE#
VIH
VIL
WE#
VIH
VIL
WAIT
DQ[15:0]
VOH
VOL
CLK
VIH
VIL
VOH
VOL
tSP
tCLK
tCEW
tHD
tABA
tVPH
tVS
tAVS
tAVH
tAW
tCW
tCEM
VALID
OUTPUT
VALID
ADDRESS
High-Z
tKOH
tDW
tOHZ
tSP
tHD
tVP
LB#/UB#
VIH
VIL
tCSP
High-Z
tOLZ
tHD
tWP
tWPH
tAS
tDH
tHD
tBW
tSP
tHZ
tHD
tSP
UNDEFINED
DON’T CARE
READ Burst Identified
(WE# = HIGH)
tKHTL
VALID
ADDRESS
VALID
INPUT
High-Z
tCEW
tHZ
tCBPH
tACLK
tBOE
tAS
Table 43:
Burst READ Timing Parameters
SYMBOL
-701
-706, -856
UNITS
SYMBOL
-701
-706, -856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tABA
35
55
ns
tHD
22
ns
tACLK
6.5
10
ns
tHZ
8
ns
tBOE
20
ns
tKHTL
6.5
10
ns
tCBPH
55
ns
tKOH
22
ns
tCEW
1
7.517.5
ns
tOHZ
8
ns
tCLK
9.62
20
15
20
ns
tSP
33
ns
tCSP
420520
ns
Table 44:
Asynchronous WRITE Timing Parameters Using ADV#
SYMBOL
-701, -706
-856
UNITS
SYMBOL
-701, -706
-856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tAS
00
ns
tDH
0
ns
tAVH
5
ns
tDW
23
ns
tAVS
10
ns
tHZ
88
ns
tAW
70
85
ns
tVP
10
ns
tBW
70
85
ns
tVPH
10
ns
tCEM
10
s
tVS
70
85
ns
tCEW
1
7.5
1
7.5
ns
tWP
46
55
ns
tCW
70
85
ns
tWPH
10
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT28C128532W30EBW-F705P856BTWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
| M93C66-MB6TP | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT48V8M16LFB4-75M:G | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| MS8256FKXA-12 | 256K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120 ns, DMA32 |
| MT46V32M16BN-75IT | 32M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT45W2MV16PFA-70 WT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:2MX16 PSRAM PLASTIC WIRELESS TEMP FBGA 1.8V ASYNCH PSEUDO ST - Trays |
| MT45W2MW16BABB-706 L WT | 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
| MT45W2MW16BABB-706 L WT TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM ASYNC 1 32MBIT 2MX16 70NS 54VFBGA - Tape and Reel |
| MT45W2MW16BABB-706 WT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM Async 1 32M-Bit 2M x 16 70ns 54-Pin VFBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM ASYNC 1 32MBIT 2MX16 70NS 54VFBGA - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA |
| MT45W2MW16BABB-706 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。