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参数资料
| 型号： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
| 封装： | FBGA-54 |
| 文件页数： | 47/55页 |
| 文件大小： | 816K |
| 代理商： | MT45W2MV16BAFB-706LIT |
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2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
ADVANCE
09005aef80ec6f63
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_32.fm - Rev. A 2/18/04 EN
51
2004 Micron Technology, Inc. All Rights Reserved.
Figure 43: Asynchronous WRITE Followed by Asynchronous READ
NOTE:
1. CE# must remain HIGH for at least 5ns (tCBPH) to schedule the appropriate internal refresh operation.
VALID ADDRESS
tAVS
tAVH
tVPH
tVP
tVS
A[20:0]
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
ADV#
OE#
WE#
WAIT
DQ[15:0]
IN/OUT
VOH
VOL
VIH
VIL
VOH
VOL
CE#
LB#/UB#
tCW
tWPH
tAS
tWP
tWC
tDH
tDW
DATA
High-Z
VALID ADDRESS
tAA
tBHZ
tCBPH1
tCEM
VALID
OUTPUT
High-Z
tCVS
tOLZ
tLZ
tAS
tBLZ
tOHZ
tHZ
tAW
tWR
tBW
tWHZ
UNDEFINED
DON’T CARE
tOE
Table 47:
WRITE Timing Parameters—Async WRITE Followed by Async READ
SYMBOL
-701,
-706
-856
UNITS
SYMBOL
-701,
-706
-856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tAS
00
ns
tVP
10
ns
tAVH
55
ns
tVPH
10
ns
tAVS
10
ns
tVS
70
85
ns
tAW
70
85
ns
tWC
70
85
ns
tBW
70
85
ns
tWHZ
88
ns
tCVS
10
ns
tWP
46
55
ns
tCW
70
85
ns
tWPH
10
ns
tDH
00
ns
tWR
00
ns
tDW
23
ns
Table 48:
READ Timing Parameters—Async WRITE Followed by Async READ
SYMBOL
-701,
-706
-856
UNITS
SYMBOL
-701,
-706
-856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tAA
70
85
ns
tHZ
88
ns
tBHZ
88
ns
tLZ
10
ns
tBLZ
10
ns
tOE
20
ns
tCBPH
5
ns
tOHZ
88
ns
tCEM
10
s
tOLZ
5
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT28C128532W30EBW-F705P856BTWT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA77 |
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| MS8256FKXA-12 | 256K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120 ns, DMA32 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MT45W2MW16BABB-706 WT TR | 功能描述:IC PSRAM 32MBIT 70NS 54VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 |
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