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参数资料
| 型号： | MT46H128M32L2JV-54AT:A |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA168 |
| 封装： | 12 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-168 |
| 文件页数： | 59/106页 |
| 文件大小： | 3431K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页当前第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页
State Diagram
Figure 23: Simplified State Diagram
Power
on
Power
applied
SREF
LMR
AREF
SREFX
ACT
CKEL
CKEH
PRE
PREALL
LMR
EMR
Deep
power-
down
Self
refresh
Idle:
all banks
precharged
Row
active
Burst
terminate
READING
Automatic sequence
Command sequence
WRITING
WRITE
WRITING
WRITE A
Precharging
Active
power-
down
Precharge
power-
down
Auto
refresh
PRE
WRITE A
READ A
PRE
READ A
READ
BST
DPD
DPDX
READ
SRR
READ
PRE
LMR
ACT = ACTIVE
DPDX = Exit deep power-down
READ A = READ w/ auto precharge
AREF = AUTO REFRESH
EMR = LOAD EXTENDED MODE REGISTER
SREF = Enter self refresh
BST = BURST TERMINATE
LMR = LOAD MODE REGISTER
SREFX = Exit self refresh
CKEH = Exit power-down
PRE = PRECHARGE
SRR = STATUS REGISTER READ
CKEL = Enter power-down
PREALL = PRECHARGE all banks
WRITE = WRITE w/o auto precharge
DPD = Enter deep power-down
READ = READ w/o auto precharge
WRITE A = WRITE w/ auto precharge
WRITE
WRITE A
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
State Diagram
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
56
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PDF描述 |
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| MT46H128M32L4CM-5AT:A | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
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