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参数资料
| 型号： | MT46H128M32L2JV-54AT:A |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA168 |
| 封装： | 12 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-168 |
| 文件页数： | 71/106页 |
| 文件大小： | 3431K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页当前第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页
Figure 30: Status Register Definition
Status register
I/O bus (CLK L->H edge)
9
7
6
5
4
3
8
2
1
Manufacturer ID
Reserved
Revision ID
Refresh Rate
S12
DQ11
S11
DQ10
S10
DQ9
S9
DQ8
S8
DQ7
S7
DQ6
S6
DQ5
S5
DQ4
S4
DQ3
S3
DQ2
S2
DQ1
S1
DQ0
S0
10
11
12
S2 S1
Manufacturer ID
Reserved
Samsung
Infineon
Elpida
Reserved
DQ14
DQ12
S14
DQ31...DQ16
S31..S16
Reserved1
13
14
31..16
0
S13
S3
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
Reserved
Winbond
Reserved
Micron
ESMT
NVM
S0
Width
Type
Density
DQ13
15
DQ15
S15
S6 S5
Revision ID
The manufacturer’s revision number starts at ‘0000’
and increments by ‘0001’ each time a change in the
specification (AC timings or feature set), IBIS (pull-
up or pull-down characteristics), or process occurs.
X
0
S4
...
S10 S9
Refresh Multiplier2
Reserved
2X
1X
Reserved
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0.25X
S8
S7
Device Width
32 bits
1
0
S11
16 bits
Device Type
LPDDR2
1
0
S12
LPDDR
S15 S14
Density
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
S13
2Gb
Reserved
1Gb
512Mb
256Mb
128Mb
Reserved
Notes: 1. Reserved bits should be set to 0 for future compatibility.
2. Refresh multiplier is based on the memory device on-board temperature sensor. Re-
quired average periodic refresh interval = tREFI × multiplier.
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Status Read Register
PDF: 09005aef83a73286
2gb_ddr_mobile_sdram_t69m.pdf - Rev. M 11/10 EN
67
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PDF描述 |
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