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参数资料
| 型号： | MT47H128M8HQ-187ELAT:E |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件页数： | 123/133页 |
| 文件大小： | 9170K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页当前第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页
State Diagram
Figure 2: Simplified State Diagram
Automatic Sequence
Command Sequence
PRE
Initialization
sequence
Self
refreshing
CKE_L
Refreshing
Precharge
power-
down
Setting
MRS
EMRS
SR
CKE_H
REFRESH
Idle
all banks
precharged
CKE_L
(E)MRS
OCD
default
Activating
ACT
Bank
active
Reading
READ
Writing
WRITE
Active
power-
down
CKE_L
CKE_H
CKE_L
Writing
with
auto
precharge
Reading
with
auto
precharge
READ A
WRITE A
PRE, PRE_A
WRITE
A
WRITE
A
READ
A
PRE
,
PRE_A
READ
A
READ
WRITE
Precharging
CKE_H
WRITE
READ
PRE,
PRE_A
ACT = ACTIVATE
CKE_H = CKE HIGH, exit power-down or self refresh
CKE_L = CKE LOW, enter power-down
(E)MRS = (Extended) mode register set
PRE = PRECHARGE
PRE_A = PRECHARGE ALL
READ = READ
READ A = READ with auto precharge
REFRESH = REFRESH
SR = SELF REFRESH
WRITE = WRITE
WRITE A = WRITE with auto precharge
Note: 1. This diagram provides the basic command flow. It is not comprehensive and does not
identify all timing requirements or possible command restrictions such as multibank in-
teraction, power down, entry/exit, etc.
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
State Diagram
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. S 10/09 EN
9
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PDF描述 |
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参数描述 |
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