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参数资料
| 型号： | MT47H128M8HQ-187ELAT:E |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件页数： | 133/133页 |
| 文件大小： | 9170K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页当前第133页
Figure 52: Bank Read – Without Auto Precharge
CK
CK#
CKE
A10
Bank address
tCK
tCH
tCL
RA
tRCD
tRAS3
tRC
tRP
CL = 3
DM
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T7n
T8n
T6
T7
T8
DQ8
DQS, DQS#
Case 1: tAC (MIN) and tDQSCK (MIN)
Case 2: tAC (MAX) and tDQSCK (MAX)
DQ8
DQS, DQS#
tRPRE
tRPST
tDQSCK (MIN)
tLZ (MIN)
tLZ (MAX)
tAC (MIN)
tLZ (MIN)
DO
n
tHZ (MAX)
tAC (MAX)
tLZ (MIN)
DO
n
NOP1
Command
ACT
RA
Col n
PRE3
Bank x
RA
Bank x
Bank x6
7
ACT
Bank x
NOP1
tHZ (MIN)
One bank
All banks
Don’t Care
Transitioning Data
READ2
Address
5
tRTP4
tRPST
tDQSCK (MAX)
T9
Notes: 1. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at
these times.
2. BL = 4 and AL = 0 in the case shown.
3. The PRECHARGE command can only be applied at T6 if tRAS (MIN) is met.
4. READ-to-PRECHARGE = AL + BL/2 - 2CK + MAX (tRTP/tCK or 2CK).
5. Disable auto precharge.
6.
“Don’t Care” if A10 is HIGH at T5.
7. I/O balls, when entering or exiting High-Z, are not referenced to a specific voltage level,
but to when the device begins to drive or no longer drives, respectively.
8. DO n = data-out from column n; subsequent elements are applied in the programmed
order.
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
READ
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. S 10/09 EN
99
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PDF描述 |
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参数描述 |
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