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参数资料
| 型号： | MT47H128M8HQ-187ELAT:E |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件页数： | 63/133页 |
| 文件大小： | 9170K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页当前第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页
Table 11: AC Operating Specifications and Conditions (Continued)
Not all speed grades listed may be supported for this device; refer to the title page for speeds supported; Notes: 1–5 apply to the entire table;
VDDQ = +1.8V ±0.1V, VDD = +1.8V ±0.1V
AC Characteristics
-187E
-25E
-25
-3E
-3
-37E
-5E
Units Notes
Parameter
Symbol
Min
Max
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
Command
and
Address
Input setup time
tISb
125
–
175
–
175
–
200
–
200
–
250
–
350
–
ps
Input hold time
tIHb
200
–
250
–
250
–
275
–
275
–
375
–
475
–
ps
Input setup time
tISa
325
–
375
–
375
–
400
–
400
–
500
–
600
–
ps
Input hold time
tIHa
325
–
375
–
375
–
400
–
400
–
500
–
600
–
ps
Input pulse width
tIPW
0.6
–
0.6
–
0.6
–
0.6
–
0.6
–
0.6
–
0.6
–
tCK
ACTIVATE-to-
ACTIVATE delay,
same bank
tRC
54
–
55
–
55
–
54
–
55
–
55
–
55
–
ns
ACTIVATE-to-READ
or WRITE delay
tRCD
13.125
–
12.5
–
15
–
12
–
15
–
15
–
15
–
ns
ACTIVATE-to-
PRECHARGE delay
tRAS
40
70K
40
70K
40
70K
40
70K
40
70K
40
70K
40
70K
ns
PRECHARGE period
tRP
13.125
–
12.5
–
15
–
12
–
15
–
15
–
15
–
ns
PRE-
CHARGE
ALL period
<1Gb
tRPA
13.125
–
12.5
–
15
–
12
–
15
–
15
–
15
–
ns
≥1Gb
tRPA
15
–
15
–
17.5
15
18
18.75
20
ns
ACTIVATE
-to-
ACTIVATE
delay
different
bank
x4, x8
tRRD
7.5
–
7.5
–
7.5
–
7.5
–
7.5
–
7.5
–
7.5
–
ns
x16
tRRD
10
–
10
–
10
–
10
–
10
–
10
–
10
–
ns
4-bank
activate
period
(
≥1Gb)
x4, x8
tFAW
35
–
35
–
35
–
37.5
–
37.5
–
37.5
–
37.5
–
ns
x16
tFAW
45
–
45
–
45
–
50
–
50
–
50
–
50
–
ns
1Gb:
x4,
x8,
x16
DDR2
SDRAM
AC
Timing
Operating
Specifications
PDF:
09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf
–
Rev.
S
10/09
EN
35
Micron
Technology,
Inc.
reserves
the
right
to
change
products
or
specifications
without
notice.
2004
Micron
Technology,
Inc.
All
rights
reserved.
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PDF描述 |
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| MT48LC2M32B1TG-7 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
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参数描述 |
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| MT47H128M8HQ-25AT | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HQ-25EAT | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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