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参数资料
| 型号： | MT47H128M8HQ-187ELAT:E |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件页数： | 97/133页 |
| 文件大小： | 9170K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页当前第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页
Figure 29: Nominal Slew Rate for tDH
Hold slew rate
falling signal
Hold slew rate
rising signal
VREF(DC) - VIL(DC)max
Δ
TR
=
VIH(DC)min - VREF(DC)
Δ
TF
=
Δ
TR
Δ
TF
Nominal
slew rate
DC to VREF
region
tIH
tIS
VSS
DQS#1
DQS1
VDDQ
VIH(DC)min
VREF(DC)
VIL(AC)max
VIL(DC)max
VIH(AC)min
DC to VREF
region
Nominal
slew rate
tIH
Note: 1. DQS, DQS# signals must be monotonic between VIL(DC)max and VIH(DC)min.
Figure 30: Tangent Line for tDH
Tangent
line
DC to VREF
region
tIH
tIS
VSS
VDDQ
VIH(DC)min
VREF(DC)
VIL(AC)max
VIL(DC)max
VIH(AC)min
DC to VREF
region
Tangent
line
tIH
DQS1
DQS#1
Hold slew rate
falling signal
Δ
TF
Δ
TR
Tangent line (VIH[DC]min - VREF[DC])
Δ
TF
=
Nominal
line
Hold slew rate
rising signal
Tangent line (VREF[DC] - VIL[DC]max)
Δ
TR
=
Nominal
line
Note: 1. DQS, DQS# signals must be monotonic between VIL(DC)max and VIH(DC)min.
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Input Slew Rate Derating
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. S 10/09 EN
66
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PDF描述 |
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参数描述 |
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