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参数资料
| 型号： | MT47H128M8HQ-187ELAT:E |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件页数： | 53/133页 |
| 文件大小： | 9170K |
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Electrical Specifications – IDD Parameters
IDD Specifications and Conditions
Table 8: General IDD Parameters
IDD Parameters
-187E
-25E
-25
-3E
-3
-37E
-5E
Units
CL (IDD)
7
5
6
4
5
4
3
tCK
tRCD (IDD)
13.125
12.5
15
12
15
ns
tRC (IDD)
58.125
57.5
60
57
60
55
ns
tRRD (IDD) - x4/x8 (1KB)
7.5
ns
tRRD (IDD) - x16 (2KB)
10
ns
tCK (IDD)
1.875
2.5
3
3.75
5
ns
tRAS MIN (IDD)
45
40
ns
tRAS MAX (IDD)
70,000
ns
tRP (IDD)
13.125
12.5
15
12
15
ns
tRFC (IDD - 256Mb)
75
ns
tRFC (IDD - 512Mb)
105
ns
tRFC (IDD - 1Gb)
127.5
ns
tRFC (IDD - 2Gb)
195
ns
tFAW (IDD) - x4/x8 (1KB)
Defined by pattern in Table 9 (page 27)
ns
tFAW (IDD) - x16 (2KB)
Defined by pattern in Table 9 (page 27)
ns
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Electrical Specifications – IDD Parameters
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. S 10/09 EN
26
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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