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参数资料
| 型号： | MT47H128M8HQ-187ELAT:E |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件页数： | 128/133页 |
| 文件大小： | 9170K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页当前第128页第129页第130页第131页第132页第133页
Figure 46: Consecutive READ Bursts
CK
CK#
Command
READ
NOP
READ
NOP
Address
Bank,
Col n
Bank,
Col b
Command
READ
NOP
READ
NOP
Address
Bank,
Col n
Bank,
Col b
RL = 3
CK
CK#
DQ
DQS, DQS#
RL = 4
DQ
DQS, DQS#
DO
n
DO
b
DO
n
DO
b
T0
T1
T2
T3
T3n
T4n
T4
T5
T6
T5n
T6n
T0
T1
T2
T3
T2n
NOP
T3n
T4n
T4
T5
T6
T5n
T6n
Don’t Care
Transitioning Data
tCCD
Notes: 1. DO n (or b) = data-out from column n (or column b).
2. BL = 4.
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following
DO n.
4. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following
DO b.
5. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
6. Example applies only when READ commands are issued to same device.
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
READ
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. S 10/09 EN
94
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48LC2M32B1TG-7 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| MT48LC32M4A2P-7ELIT:G | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| MT55L256L18FT-12TR | 256K X 18 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| MT55L256L32FT-12 | 256K X 32 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HQ-25AT | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HQ-25EAT | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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