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参数资料
| 型号： | S29XS064R0PBHW010 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 80 ns, PBGA44 |
| 封装： | 7.50 X 5 MM, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 文件页数： | 24/65页 |
| 文件大小： | 2116K |
| 代理商： | S29XS064R0PBHW010 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页
30
S29VS/XS-R MirrorBit
Flash Family
S29VS_XS064R_00_06 July 22, 2011
Data
Sheet
(Adv an ce
Inf o r m a t io n)
Table 10.4 Device Geometry Definition
Addresses
Data
Description
VS/XS064R
27h
0017h
Device Size = 2
N byte
28h
0001h
Flash Device Interface description (refer to CFI publication 100)
29h
0000h
2Ah
0006h
Max. number of bytes in multi-byte write = 2
N (00h = not supported)
2Bh
0000h
2Ch
0002h
Number of Erase Block Regions within device
2Dh
007Eh (top boot)
Erase Block Region 1 Information (refer to the CFI specification or CFI
publication 100)
0003h (bottom boot)
2Eh
0000h (top boot)
0000h (bottom boot)
2Fh
0000h (top boot)
0040h (bottom boot)
30h
0001h (top boot)
0000h (bottom boot)
31h
0003h (top boot)
Erase Block Region 2 Information
007Eh (bottom boot)
32h
0000h (top boot)
0000h (bottom boot)
33h
0040h (top boot)
0000h (bottom boot)
34h
0000h (top boot)
0001h (bottom boot)
35h
00FFh
Erase Block Region 3 Information
36h
00FFh
37h
00FFh
38h
00FFh
39h
00FFh
Erase Block Region 4 Information
3Ah
00FFh
3Bh
00FFh
3Ch
00FFh
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S2C3R-1-12-H | 4000 MHz - 12000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 2 dB INSERTION LOSS |
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| S2H3R-1H | 10 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 1.2 dB INSERTION LOSS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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