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参数资料
| 型号： | S29XS064R0PBHW010 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 80 ns, PBGA44 |
| 封装： | 7.50 X 5 MM, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 文件页数： | 54/65页 |
| 文件大小： | 2116K |
| 代理商： | S29XS064R0PBHW010 |
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58
S29VS/XS-R MirrorBit
Flash Family
S29VS_XS064R_00_06 July 22, 2011
Data
Sheet
(Adv an ce
Inf o r m a t io n)
Figure 19.5 Reset Timings
.
19.5
Erase/Program Operations
Notes
1. Not 100% tested.
2. See Erase and Programming Performance on page 63 for more information.
3. Does not include the preprogramming time.
RESET#
tRP
tRPH
CE#, OE#
tRH
Parameter
Description
Unit
JEDEC
Standard
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (1)
Min
60
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
4
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
3.5
ns
tAVDP
AVD# Low Time
Min
6
ns
tAAVDS
Address Setup to Rising of AVD#
Min
4
ns
tAAVDH
Address Hold from Rising of AVD#
Min
3.5
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
20
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time to WE#
Min
4
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP/tWRL
Write Pulse Width
Min
25
ns
tVLWH
AVD# Disable to WE# Disable
Min
23.5
ns
tWEA
WE# Disable to AVD# Enable
Min
9.6
ns
tCR
CE# Low to RDY Valid
Max
10
ns
tCEZ
CE# Disable to Output High-Z
Max
10
ns
tWEH
OE# Disable to WE# Enable
Min
4
ns
tWHWL
tWPH
Write Pulse Width High
Min
20
ns
tSR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
tVPP
VPP Rise and Fall Time
Min
500
ns
tVPS
VPP Setup Time (During Accelerated Programming)
Min
1
s
tVCS
VCC Setup Time
Min
50
s
tESL
Erase Suspend Latency
Max
30
s
tPSL
Program Suspend Latency
Max
30
s
tPSP
Toggle Time During Programming Within a Protected Sector
Typ
20
s
tASP
Toggle Time During Sector Protection
Typ
20
s
tWEP
Noise Pulse Margin on WE#
Max
3
ns
tERS
ER to ES
Min
30
s
tPRS
PR to PS
Min
30
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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