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参数资料
| 型号： | W9725G6JB25I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 33/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | 托盘 |
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W9725G6JB
8.4
Function T ruth Table
CURRENT
STATE
Idle
Banks
Active
Read
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
RAS
X
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
CAS
X
H
L
L
H
H
L
L
X
H
L
L
H
H
L
L
X
H
L
L
H
H
L
L
X
H
L
L
WE
X
H
H
L
H
L
H
L
X
H
H
L
H
L
H
L
X
H
H
L
H
L
H
L
X
H
H
L
ADDRESS
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
COMMAND
DSL
NOP
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
DSL
NOP
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
DSL
NOP
READ/READA
WRIT/WRITA
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
DSL
NOP
READ/READA
WRIT/WRITA
ACTION
NOP or Power down
NOP or Power down
ILLEGAL
ILLEGAL
Row activating
Precharge/ Precharge all banks
Auto Refresh or Self Refresh
Mode/Extended register
accessing
NOP
NOP
Begin read
Begin write
ILLEGAL
Precharge/ Precharge all banks
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end
Continue burst to end
Burst interrupt
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end
Continue burst to end
ILLEGAL
Burst interrupt
NOTES
1
1
2
2
1
1, 3
1
1
1
1
1, 3
Write
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
L
H
L
H
L
BA, RA
BA, A10
X
Op-Code
ACT
PRE/PREA
AREF/SELF
MRS/EMRS
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
1
1
Publication Release Date: Nov. 29, 2011
- 33 -
Revision A02
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PDF描述 |
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