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参数资料
| 型号： | W9725G6JB25I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 78/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | 托盘 |
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W9725G6JB
10.17 Burst read operation followed by precharge: RL=5 (AL=2, CL=3, BL=4, t RTP
≤ 2clks)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK/CLK
CMD
Post CAS
READ A
NOP
NOP
NOP
Precharge
NOP
NOP
Bank A
Activate
NOP
DQS,
DQS
AL = 2
AL + BL/2 clks
CL = 3
≥ t RP
DQ's
RL = 5
Dout
A0
Dout
A1
Dout
A2
Dout
A3
≥ t RAS
CL = 3
≥ t RTP
10.18 Burst read operation followed by precharge: RL=6 (AL=2, CL=4, BL=4, t RTP
≤ 2clks)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK/CLK
CMD
Post CAS
READA
NOP
NOP
NOP
Precharge
NOP
NOP
Bank A
Activate
NOP
DQS,
DQS
AL = 2
AL + BL/2 clks
CL = 4
≥ t RP
DQ's
RL = 6
Dout
A0
Dout
A1
Dout
A2
Dout
A3
≥ t RAS
≥ t RTP
CL = 4
Publication Release Date: Nov. 29, 2011
- 78 -
Revision A02
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PDF描述 |
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