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参数资料
| 型号： | W9725G6JB25I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 67/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | 托盘 |
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W9725G6JB
9.14 AC Overshoot / Undershoot Specification
9.14.1 AC Overshoot / Undershoot Specification for Address and Control Pins:
Applies to A0-A12, BA0-BA1, /CS, /RAS, /CAS, /WE, CKE, ODT
PARAMETER
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
Maximum overshoot area above V DD
Maximum undershoot area below V SS
DDR2-1066
0.5
0.5
0.5
0.5
DDR2-800
0.5
0.5
0.66
0.66
DDR2-667
0.5
0.5
0.8
0.8
UNIT
V
V
V-nS
V-nS
9.14.2 AC Overshoot / Undershoot Specification for Clock, Data, Strobe and Mask pins:
Applies to DQ, LDQS, /LDQS, UDQS, /UDQS, LDM, UDM, CLK, /CLK
PARAMETER
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
Maximum overshoot area above V DDQ
Maximum undershoot area below V SSQ
DDR2-1066
0.5
0.5
0.19
0.19
DDR2-800
0.5
0.5
0.23
0.23
DDR2-667
0.5
0.5
0.23
0.23
UNIT
V
V
V-nS
V-nS
Maximum Amplitude
Overshoot Area
V DD /V DDQ
Volts (V)
V SS /V SSQ
Maximum Amplitude
Undershoot Area
Time (nS)
Figure 29 – AC overshoot and undershoot definition
Publication Release Date: Nov. 29, 2011
- 67 -
Revision A02
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PDF描述 |
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