- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录369 > W9725G6JB25I (Winbond Electronics)IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | W9725G6JB25I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 51/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页当前第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页
W9725G6JB
30. Input clock jitter spec parameter. These parameters and the ones in the table below are referred to as 'input clock jitter spec
parameters'. The jitter specified is a random jitter meeting a Gaussian distribution.
Input clock-Jitter specifications parameters for DDR2-667, DDR2-800 and DDR2-1066
PARAMETER
SYMBOL
DDR2-667
MIN. MAX.
DDR2-800
MIN. MAX.
DDR2-1066
MIN. MAX.
UNIT
Clock period jitter
Clock period jitter during DLL locking period
Cycle to cycle clock period
Cycle to cycle clock period jitter during DLL
tJIT(per)
tJIT(per,lck)
tJIT(cc)
tJIT(cc,lck)
-125
-100
-250
-200
125
100
250
200
-100
-80
-200
-160
100
80
200
160
-90
-80
-180
-160
90
80
180
160
pS
pS
pS
pS
locking period
Cumulative error across 2 cycles
Cumulative error across 3 cycles
Cumulative error across 4 cycles
Cumulative error across 5 cycles
Cumulative error across n cycles,
tERR(2per)
tERR(3per)
tERR(4per)
tERR(5per)
tERR(6-10per)
-175
-225
-250
-250
-350
175
225
250
250
350
-150
-175
-200
-200
-300
150
175
200
200
300
-132
-157
-175
-188
-250
132
157
175
188
250
pS
pS
pS
pS
pS
n = 6 ... 10, inclusive
Cumulative error across n cycles,
tERR(11-50per)
-450
450
-450
450
-425
425
pS
n = 11 ... 50, inclusive
Duty cycle jitter
tJIT(duty)
-125
125
-100
100
-75
75
pS
tCK ( avg ) = ? ? tCK j ? / N
Definitions:
- tCK(avg)
tCK(avg) is calculated as the average clock period across any consecutive 200 cycle window.
? N ?
? j ? 1 ?
where
N = 200
tCH ( avg ) = ? ? tCH j ? / ( N × tCK ( avg ))
- tCH(avg) and tCL(avg)
tCH(avg) is defined as the average HIGH pulse width, as calculated across any consecutive 200 HIGH pulses.
? N ?
? j ? 1 ?
where
N = 200
tCL ( avg ) = ? ? tCL j ? / ( N × tCK ( avg ))
tCL(avg) is defined as the average LOW pulse width, as calculated across any consecutive 200 LOW pulses.
? N ?
? j ? 1 ?
where
N = 200
Publication Release Date: Nov. 29, 2011
- 51 -
Revision A02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9725G6KB-25I | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
| W972GG6JB-3I | IC DDR2 SDRAM 2GBITS 84WBGA |
| W9751G6IB-25 | IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA |
| W9751G6KB-25 | IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84WBGA |
| W9812G6JH-6I | IC SDRAM 128MBIT 54TSOPII |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W9725G6KB-18 | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W9725G6KB-25 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
| W9725G6KB-25 TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X16 |
| W9725G6KB25A | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:DLL aligns DQ and DQS transitions with clock, Data masks (DM) for write data, Write Data Mask |
| W9725G6KB25I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256M 2.5NS 84WBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256M 2.5NS 84WBGA 制造商:Winbond 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。