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参数资料
| 型号： | W9725G6JB25I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 73/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | 托盘 |
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W9725G6JB
10.8 Data input (write) timing
DQS
DQS
DQS
DQS
t WPRE
V IH (ac)
t DQSH
t DQSL
V IH (dc)
t WPST
DQ
D
D
D
D
V IL (ac)
V IL (dc)
t DS
t DS
V IH (ac)
t DH
t DH
V IH (dc)
DM
DMin
DMin
DMin
DMin
V IL (ac)
10.9 Burst write operation: RL=5 (AL=2, CL=3, WL=4, BL=4)
V IL (dc)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Tn
CLK
CLK
CMD
Posted CAS
WRITE A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Precharge
Case 1: with t DQSS (max)
t DQSS
t DQSS
t DSS
t DSS
Completion of
The Burst Write
DQS
DQS
WL = RL – 1= 4
≥ t WR
DQs
Case 2: with t DQSS (min)
DIN
A0
t DQSS
DIN
A1
DIN
A2
t DQSS
DIN
A3
DQS
DQS
WL = RL – 1= 4
t DSH
t DSH
≥ t WR
DQs
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
Publication Release Date: Nov. 29, 2011
- 73 -
Revision A02
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PDF描述 |
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