- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录296408 > M58WR064KU70ZA6U (NUMONYX) 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M58WR064KU70ZA6U |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| 封装： | 7.50 X 5 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-44 |
| 文件页数： | 120/122页 |
| 文件大小： | 2187K |
| 代理商： | M58WR064KU70ZA6U |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页当前第120页第121页第122页
M58WRxxxKU, M58WRxxxKL
Common flash interface
97/123
Table 40.
Device geometry definition
Offset
Word
Mode
Data
Description
Value
27h
0015h
M58WR016KU/L Device size = 2n in number of bytes
2 Mbytes
0016h
M58WR032KU/L Device size = 2n in number of bytes
4 Mbytes
0017h
M58WR064KU/L device size = 2n in number of bytes
8 Mbytes
28h
29h
0001h
0000h
Flash device interface code description
x 16
Async.
2Ah
2Bh
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2n
NA
2Ch
0002h
Number of identical sized erase block regions within the device
bit 7 to 0 = x = number of erase block regions
2
T
o
p
de
vices
2Dh
2Eh
001Eh
0000h
M58WR016KU region 1 information
Number of identical-size erase blocks = 001Eh+1
31
003Eh
0000h
M58WR032KU region 1 information
Number of identical-size erase blocks = 003Eh+1
63
007Eh
0000h
M58WR064KU region 1 information
Number of identical-size erase blocks = 007Eh+1
127
2Fh
30h
0000h
0001h
Region 1 information
Block size in region 1 = 0100h * 256 byte
64 Kbyte
31h
32h
0007h
0000h
Region 2 information
Number of identical-size erase blocks = 0007h+1
8
33h
34h
0020h
0000h
Region 2 information
Block size in region 2 = 0020h * 256 byte
8 Kbyte
35h
38h
Reserved for future erase block region information
NA
B
o
tto
m
d
e
vi
ce
s
2Dh
2Eh
0007h
0000h
Region 1 information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
2Fh
30h
0020h
0000h
Region 1 information
Block size in region 1 = 0020h * 256 byte
8 Kbyte
31h
32h
001Eh
0000h
M58WR016KL region 1 information
Number of identical-size erase blocks = 001Eh+1
31
003Eh
0000h
M58WR032KL region 1 information
Number of identical-size erase blocks = 003Eh+1
63
007Eh
0000h
M58WR064KL region 1 information
Number of identical-size erase blocks = 007Eh+1
127
33h
34h
0000h
0001h
Region 2 information
Block size in region 2 = 0100h * 256 byte
64 Kbyte
35h
38h
Reserved for future erase block region information
NA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5L28FGNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M3L13TCNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M3L14FCNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M3L15TGNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M5L13TCNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M58WR064T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064T100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064T70ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064T85ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128EB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。