- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录296408 > M58WR064KU70ZA6U (NUMONYX) 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M58WR064KU70ZA6U |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| 封装： | 7.50 X 5 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-44 |
| 文件页数： | 77/122页 |
| 文件大小： | 2187K |
| 代理商： | M58WR064KU70ZA6U |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页当前第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页
Program and erase times and endurance cycles
M58WRxxxKU, M58WRxxxKL
12
Program and erase times and endurance cycles
The program and erase times and the number of program/erase cycles per block are shown
in Table 18. In the M58WRxxxKU/L the maximum number of program/ erase cycles depends
on the voltage supply used.
Table 18.
Program and erase times and endurance cycles(1)
Parameter
Condition
Min
Typ
Typical
after 100k
W/E Cycles
Max
Unit
V
PP
=
V
DD
Erase
Parameter block (4 Kword)(2)
0.3
1
2.5
s
Main block (32
Kword)
Preprogrammed
0.8
3
4
s
Not preprogrammed
1
4
s
Program(3)
Word
12
100
s
Parameter block (4 Kword)
40
ms
Main block (32 Kword)
300
ms
Suspend latency
Program
5
10
s
Erase
5
20
s
Program/erase
cycles (per block)
Main blocks
100,000
cycles
Parameter blocks
100,000
cycles
V
PP
=
V
PPH
Erase
Parameter block (4 Kword)
0.25
2.5
s
Main block (32 Kword)
0.8
4
s
Program(3)
Word/double word/quadruple word(4)
10
100
s
Parameter
block (4 Kword)
Quad-enhanced factory
11
ms
Enhanced factory
45
ms
Quadruple word(4)
10
ms
Word
40
ms
Main block
(32 Kword)
Quad-enhanced factory
94
ms
Enhanced factory
360
ms
Quadruple word(4)
80
ms
Word
328
ms
Bank (4-Mbit)
Quad-enhanced factory(4)
0.75
s
Quadruple word(4)
0.65
s
Program/erase
cycles (per block)
Main blocks
1000 cycles
Parameter blocks
2500 cycles
1.
TA = –40 to 85°C; VDD = VDDQ = 1.7 V to 2 V.
2.
The difference between preprogrammed and not preprogrammed is not significant (30 ms).
3.
Values are liable to change with the external system-level overhead (command sequence and status register polling
execution).
4.
Measurements performed at 25°C. TA = 30°C ±10°C for quadruple word, double word and quadruple enhanced factory
program.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5L28FGNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M3L13TCNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M3L14FCNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M3L15TGNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M5L13TCNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M58WR064T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064T100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064T70ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064T85ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128EB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。