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参数资料
| 型号： | M58WR064KU70ZA6U |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| 封装： | 7.50 X 5 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-44 |
| 文件页数： | 92/122页 |
| 文件大小： | 2187K |
| 代理商： | M58WR064KU70ZA6U |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页当前第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页
M58WRxxxKU, M58WRxxxKL
DC and AC parameters
71/123
2.
Sampled only, not 100% tested.
Table 26.
Write AC characteristics, Write Enable controlled
Symbol
Alt
Parameter
70
Unit
Wr
ite
En
ab
le
C
ontrolle
d
Timin
g
s
tAVAV
tWC
Address Valid to Next Address Valid
Min
70
ns
tAVLH
Address Valid to Latch Enable High
Min
7
ns
tDVWH
tDS
Data Valid to Write Enable High
Min
40
ns
tELLH
Chip Enable Low to Latch Enable High
Min
10
ns
tELWL
tCS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
ns
tELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70
ns
tGHLL
Output Enable High to Latch Enable Low
Min
20
ns
tGHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
20
ns
tLHAX
Latch Enable High to Address Transition
Min
7
ns
tLHGL
Latch Enable High to Output Enable Low
Min
5
ns
tLLLH
Latch Enable Pulse Width
Min
7
ns
tWHDX
tDH
Write Enable High to Input Transition
Min
0
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
tWHEL
(1)
1.
tWHEL and tWHLL have this value when reading from the targeted bank or when reading from
any address after a Set Configuration Register command has been issued. System designers
should take this into account and may insert a software No-Op instruction to delay the first read
in the same bank after issuing any command, or to delay the first read to any address after
issuing a Set Configuration Register command. If the first read after the command is a Read
Array operation in a different bank and no changes to the configuration register have been
issued, tWHEL and tWHLL are 0 ns.
Write Enable High to Chip Enable Low
Min
25
ns
tWHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
0
ns
tWHLL
Write Enable High to Latch Enable Low
Min
25
ns
tWHWL
tWPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
25
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
45
ns
P
rot
ec
ti
on
T
imi
ng
s
tQVVPL
Output (status register) Valid to VPP Low
Min
0
ns
tQVWPL
Output (status register) Valid to Write
Protect Low
Min
0
ns
tVPHWH
tVPS
VPP High to Write Enable High
Min
200
ns
tWHVPL
Write Enable High to VPP Low
Min
200
ns
tWHWPL
Write Enable High to Write Protect Low
Min
200
ns
tWPHWH
Write Protect High to Write Enable High
Min
200
ns
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