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参数资料
| 型号： | M58WR064KU70ZA6U |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| 封装： | 7.50 X 5 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-44 |
| 文件页数： | 4/122页 |
| 文件大小： | 2187K |
| 代理商： | M58WR064KU70ZA6U |
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M58WRxxxKU, M58WRxxxKL
Common flash interface
101/123
(P+28)h = 61h
06h
Bank Region 1 Erase Block Type 2 Information
Bits 0-15: n+1 = number of identical-sized erase
blocks
Bits 16-31: n×256 = number of bytes in erase block region
(P+29)h = 62h
00h
(P+2A)h = 63h
00h
(P+2B)h = 64h
01h
(P+2C)h = 65h
64h
Bank Region 1 (Erase Block Type 2)
Minimum block erase cycles × 1000
(P+2D)h = 66h
00h
(P+2E)h = 67h
01h
Bank Regions 1 (Erase Block Type 2): bits per cell, internal
ECC
Bits 0-3: bits per cell in erase region
Bit 4: reserved for “internal ECC used”
BIts 5-7: reserved
(P+2F)h = 68h
03h
Bank Region 1 (Erase Block Type 2): Page mode and
synchronous mode capabilities
Bit 0: Page-mode reads permitted
Bit 1: Synchronous reads permitted
Bit 2: Synchronous writes permitted
Bits 3-7: reserved
1.
The variable P is a pointer that is defined at CFI offset 15h.
2.
Applies to M58WR016KU.
3.
Applies to M58WR032KU.
4.
Applies to M58WR064KU.
5.
Table 45.
Bank and erase block region 1 information(1) (continued)
M58WR016KU,
M58WR032KU,
M58WR064KU
M58WR016KL,
M58WR032KL,
M58WR064KL
Description
Offset
Data
Offset
Data
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PDF描述 |
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参数描述 |
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