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参数资料
| 型号： | MRF89XAT-I/MQ |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 104/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RF ISM BAND TXRX 32 QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 863MHz ~ 870MHz，902MHz ~ 928MHz，950MHz ~ 960MHz |
| 数据传输率 - 最大： | 200kbps |
| 调制或协议： | FSK，OOK |
| 应用： | ISM |
| 功率 - 输出： | 12.5dBm |
| 灵敏度： | -113dBm |
| 电源电压： | 2.1 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 接收： | 3mA |
| 电流 - 传输： | 25mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 存储容量： | * |
| 天线连接器： | PCB，表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF89XAT-I/MQDKR |
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MRF89XA
5.1
ESD Notice
The MRF49XA is a high-performance radio frequency
device, it satisfies:
? Class II of the JEDEC standard JESD22-A114-B
(Human Body Model) of 2 KV, except on all of the
RF pins where it satisfies Class 1A.
? Class III of the JEDEC standard JESD22-C101C
(Charged Device Model) on all pins.
It should thus be handled with all the necessary ESD
precautions to avoid any permanent damage.
TABLE 5-1:
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Parameter
Ambient Operating Temperature
Supply Voltage for RF, Analog and Digital Circuits
Supply Voltage for Digital I/O
Input High Voltage (V IH )
Input Low Voltage (V IL )
DC Voltage on Open Collector Outputs (RFIO) (1,2)
Min
-40
2.1
2.1
0.5 * V DD
-0.3V
V DD – 1.5
Typ
—
—
—
—
—
—
Max
+85
3.6
3.6
V DD + 0.3
0.2 * V DD
V DD + 1.5
Unit
°C
V
V
V
V
V
Condition
—
—
—
—
—
—
AC Peak Voltage on Open Collector Outputs (IO) (1) V DD – 1.5
—
V DD + 1.5
V
—
Note 1:
2:
At minimum, V DD – 1.5V should not be lower than 1.8V.
At maximum, V DD + 1.5V should not be higher than 3.7V.
TABLE 5-2:
CURRENT CONSUMPTION (3)
Symbol
I DDSL
Sleep
Chip Mode
Min
—
Typ
0.1
Max
2
Unit
μA
Condition
Sleep clock disabled, all blocks
disabled
I DDST
I DDFS
I DDTX
I DDRX
Idle
Frequency Synthesizer
TX
RX
—
—
—
—
—
65
1.3
25
16
3.0
80
1.7
30
21
3.5
μA
mA
mA
mA
mA
Oscillator and baseband enabled (2)
Frequency synthesizer running
Output power = +10 dBm
Output power = +1 dBm (1)
—
Note 1:
2:
3:
Guaranteed by design and characterization.
Crystal C LOAD = 10 pF, C0 = 2.5 pF, R M = 15 Ω .
Measurement Conditions: Temp = 25°C, V DD = 3.3V, crystal frequency = 12.8 MHz, carrier
frequency = 868 or 915 MHz, modulation FSK, data rate = 25 kbps, f dev = 50 kHz, f c = 100 kHz, unless
otherwise specified.
DS70622C-page 104
Preliminary
? 2010–2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 241-5-12L | XFRMR PWR 115V 12.6VCT 1A LEADS |
| DPC-40-250 | XFRMR PWR 115/230V 40VCT 250MA |
| ST-5-56 | XFRMR PWR 115V 28V 440MA 12VA |
| 6221 | TIP STAIN-STEEL SHARP-PT .06"DMM |
| ST-5-48 | XFRMR PWR 115V 24V 500MA 12VA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8HP21080HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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