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参数资料
| 型号： | MRF89XAT-I/MQ |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 106/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RF ISM BAND TXRX 32 QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 863MHz ~ 870MHz，902MHz ~ 928MHz，950MHz ~ 960MHz |
| 数据传输率 - 最大： | 200kbps |
| 调制或协议： | FSK，OOK |
| 应用： | ISM |
| 功率 - 输出： | 12.5dBm |
| 灵敏度： | -113dBm |
| 电源电压： | 2.1 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 接收： | 3mA |
| 电流 - 传输： | 25mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 存储容量： | * |
| 天线连接器： | PCB，表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF89XAT-I/MQDKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页当前第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页
MRF89XA
TABLE 5-5:
RECEIVER AC CHARACTERISTICS (1)
Symbol
RSF
Parameter
Sensitivity (FSK)
Min
—
Typ
-107
Max
—
Unit
dBm
Condition
869 MHz, BR = 25 kbps,
f dev = 50 kHz, f c = 100 kHz
—
-103
—
dBm
869 MHz, BR = 66.7 kbps,
f dev = 100 kHz, f c = 200 kHz
—
—
-105
-101
—
—
dBm
dBm
915 MHz, BR = 25 kbps, f dev = 50
kHz, f c = 100 kHz
915 MHz, BR = 66.7 kbps,
f dev = 100 kHz, f c = 200 kHz
RSO
Sensitivity (OOK)
—
-113
—
dBm
869 MHz, 2kbps NRZ
f c – f o = 50 kHz, f o = 50 kHz
—
-106
—
dBm
869 MHz, 16.7 kbps NRZ
f c – f o = 100 kHz, f o = 100 kHz
—
-111
—
dBm
915 MHz, 2 kbps NRZ
f c – f o = 50 kHz, f o = 50 kHz
—
-105
—
dBm
915 MHz, 16.7 kbps NRZ
f c – f o = 100 kHz, f o = 100 kHz
CCR
ACR
Co-Channel Rejection
Adjacent Channel Rejection
—
—
-12
27
—
—
dBc
dB
Modulation as wanted signal
Offset = 300 kHz, unwanted tone is
not modulated
—
52
—
dB
Offset = 600 kHz, unwanted tone is
not modulated
—
57
—
dB
Offset = 1.2 MHz, unwanted tone is
not modulated
BI
Blocking Immunity
—
—
-48
-37
—
—
dBm
dBm
Offset = 1 MHz, unmodulated
Offset = 2 MHz, unmodulated, no
SAW
—
-33
—
dBm
Offset = 10 MHz, unmodulated, no
SAW
RXBWF
Receiver Bandwidth in FSK
50
—
250
kHz
Single side BW, Polyphase Off
Mode (2)
RXBWU
Receiver Bandwidth in OOK
50
—
400
kHz
Single side BW, Polyphase On
Mode (2)
ITP3
Input Third Order Intercept
—
-28
—
dBm
Interferers at 1 MHz and 1.950 MHz
Point
offset
TSRWF
TSRWS
TSRHOP
RSSIST
RSSTDR
Receiver Wake-up Time
Receiver Wake-up Time
Receiver Hop Time from RX
Ready to RX Ready with a
Frequency Hop
RSSI Sampling Time
RSSI Dynamic Range
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
280
600
400
400
460
480
520
550
600
—
70
500
900
—
—
—
—
—
—
—
1/ f dev
—
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
s
dB
From FS to RX ready
From Stand-by to RX ready
200 kHz step
1 MHz step
5 MHz step
7 MHz step
12 MHz step
20 MHz step
27 MHz step
From RX ready
Ranging from sensitivity
Note 1:
2:
Guaranteed by design and characterization.
This reflects the whole receiver bandwidth, as described by conditions for active and passive filters.
DS70622C-page 106
Preliminary
? 2010–2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 241-5-12L | XFRMR PWR 115V 12.6VCT 1A LEADS |
| DPC-40-250 | XFRMR PWR 115/230V 40VCT 250MA |
| ST-5-56 | XFRMR PWR 115V 28V 440MA 12VA |
| 6221 | TIP STAIN-STEEL SHARP-PT .06"DMM |
| ST-5-48 | XFRMR PWR 115V 24V 500MA 12VA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8HP21080HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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