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参数资料
| 型号： | MRF89XAT-I/MQ |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 56/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RF ISM BAND TXRX 32 QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 863MHz ~ 870MHz，902MHz ~ 928MHz，950MHz ~ 960MHz |
| 数据传输率 - 最大： | 200kbps |
| 调制或协议： | FSK，OOK |
| 应用： | ISM |
| 功率 - 输出： | 12.5dBm |
| 灵敏度： | -113dBm |
| 电源电压： | 2.1 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 接收： | 3mA |
| 电流 - 传输： | 25mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 存储容量： | * |
| 天线连接器： | PCB，表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF89XAT-I/MQDKR |
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MRF89XA
3.1
Reset of the Chip
3.1.2
MANUAL RESET
A power-on Reset of the MRF89XA is triggered at
power up. Additionally, a manual reset can be issued
by controlling the TEST8 pin (pin 13).
3.1.1 POWER-ON RESET (POR)
If the application requires the disconnection of V DD
from the MRF89XA, the user should wait for 10 ms
from the end of the POR cycle before commencing
A manual reset of the MRF89XA is possible even for
applications in which V DD cannot be physically
disconnected. The TEST8 pin should be pulled high for
100 μs and then released. The user should then wait 5
ms before using the chip. The pin is driven with an
open-drain output, and therefore, is pulled high while
the device is in POR. Figure 3-3 illustrates the Manual
Reset Timing
communications using SPI. The TEST8 pin should be
left floating during the POR sequence. Figure 3-2
illustrates the POR Timing.
Any CLKOUT-related activity can also be
Note:
used to detect that the chip is ready.
FIGURE 3-2:
POR TIMING DIAGRAM
V DD
Pin 13
Undefined
(output)
Note:
When the TEST8 pin is driven high, an
current consumption of up to 10 mA can
be seen on V DD .
Wait for
10 ms
Chip is ready from this point forward
FIGURE 3-3:
V DD
MANUAL RESET TIMING DIAGRAM
> 100 μs
Wait for
5 ms
Chip is ready from this point forward
Pin 13
(input)
High-Z
1
High-Z
DS70622C-page 56
Preliminary
? 2010–2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 241-5-12L | XFRMR PWR 115V 12.6VCT 1A LEADS |
| DPC-40-250 | XFRMR PWR 115/230V 40VCT 250MA |
| ST-5-56 | XFRMR PWR 115V 28V 440MA 12VA |
| 6221 | TIP STAIN-STEEL SHARP-PT .06"DMM |
| ST-5-48 | XFRMR PWR 115V 24V 500MA 12VA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8HP21080HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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