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参数资料
| 型号： | MRF89XAT-I/MQ |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 107/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RF ISM BAND TXRX 32 QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 863MHz ~ 870MHz，902MHz ~ 928MHz，950MHz ~ 960MHz |
| 数据传输率 - 最大： | 200kbps |
| 调制或协议： | FSK，OOK |
| 应用： | ISM |
| 功率 - 输出： | 12.5dBm |
| 灵敏度： | -113dBm |
| 电源电压： | 2.1 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 接收： | 3mA |
| 电流 - 传输： | 25mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 存储容量： | * |
| 天线连接器： | PCB，表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF89XAT-I/MQDKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页当前第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页
MRF89XA
TABLE 5-6:
TRANSMITTER AC CHARACTERISTICS (1)
Symbol
RFOP
Description
RF Output Power, Programmable
with 8 Steps of typ. 3 dB
Min
—
—
Typ
+12.5
-8.5
Max
—
—
Unit
dBm
dBm
Condition
Maximum power setting.
Minimum power setting.
PN
Phase Noise
—
-112
—
dBc/Hz Measured with a 600 kHz
offset at the transmitter output.
TXSP
Transmitted Spurious
—
—
-47
dBc
At any offset between 200 kHz
and 600 kHz, unmodulated
carrier, f dev = 50 kHz.
TX2
Second Harmonic
No modulation, see Note 2
TX3
TX4
Third Harmonic
Fourth Harmonic
—
—
-40
dBm
TXn
Harmonics above TX4
FSKDEV
TSTWF
TSTWS
FSK Deviation
Transmitter Wake-up Time
Transmitter Wake-up Time
±33
—
—
±55
120
600
-200
500
900
kHz
μs
μs
Programmable
From FS to TX ready.
From Stand-by to TX ready.
Note 1:
2:
Guaranteed by design and characterization.
Transmitter in-circuit performance with RFM recommended SAW filter and crystal.
5.2
Timing Specification and Diagram
TABLE 5-7:
SPI TIMING SPECIFICATION (1,2,3)
Parameter
SPI Configure Clock Frequency
SPI Data Clock Frequency
Data Hold and Setup Time
SDI Setup Time for SPI Configure
SDI Setup Time for SPI Data
CSCON Low to SCK Rising Edge;
Min
—
—
2
250
312
500
Typ
—
—
—
—
—
—
Max
6
1
—
—
—
—
Unit
MHz
MHz
μs
ns
ns
ns
Condition
—
—
—
—
—
—
SCK Falling Edge to CSCON High
CSDAT Low to SCK Rising Edge;
625
—
—
ns
—
SCK Falling Edge to CSDAT High
CSCON Rising to Falling Edge
CSDAT Rising to Falling Edge
500
625
—
—
—
—
ns
ns
—
—
Note 1:
2:
Typical Values: T A = 25°C, V DD = 3.3V, crystal frequency = 12.8 MHz, unless otherwise specified.
Negative current is defined as the current sourced by the pin.
? 2010–2011 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS70622C-page 107
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MRF8HP21080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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