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参数资料
| 型号： | MRF89XAT-I/MQ |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 25/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RF ISM BAND TXRX 32 QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 863MHz ~ 870MHz，902MHz ~ 928MHz，950MHz ~ 960MHz |
| 数据传输率 - 最大： | 200kbps |
| 调制或协议： | FSK，OOK |
| 应用： | ISM |
| 功率 - 输出： | 12.5dBm |
| 灵敏度： | -113dBm |
| 电源电压： | 2.1 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 接收： | 3mA |
| 电流 - 传输： | 25mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 存储容量： | * |
| 天线连接器： | PCB，表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF89XAT-I/MQDKR |
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MRF89XA
2.11.2 SPI DATA
Write Byte (before/during TX) - To write bytes into the
FIFO, the timing diagram illustrated in Figure 2-14
should be followed by the host microcontroller.
Note:
It is compulsory to toggle CSDAT back
high between each byte written. The byte
is pushed into the FIFO on the rising edge
of CSDAT.
FIGURE 2-14:
WRITE BYTES SEQUENCE (EXAMPLE DIAGRAM FOR 2 BYTES)
1
2
3
4
5
6
7
8
1
2
3
4
5
6
7
8
CSDAT(In)
SCK (In)
1stbyte written
2ndbyte written
SDI (In)
D1(7) D1(6) D1(5) D1(4) D1(3)D1(2) D1(1) D1(0)
x
D2(7) D2(6) D2(5) D2(4) D2(3) D2(2) D2(1) D2(0)
SDO (Out) HZ
(input)
x
x
x
x
x
x
x
x
HZ
(input)
x
x
x
x
x
x
x
x
x HZ
(input)
Read Byte (after/during RX) - To read bytes from the
FIFO, the timing diagram illustrated in Figure 2-15
should be followed by the host microcontroller .
Note:
It is recommended to toggle CSDAT back
high between each byte read.
FIGURE 2-15:
READ BYTES SEQUENCE (EXAMPLE DIAGRAM FOR 2 BYTES)
1
2
3
4
5
6
7
8
1
2
3
4
5
6
7
8
CSDAT (In)
SCK (In)
SDI (In)
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
First byte read
Second byte read
SDO (Out) HZ
(input)
D1(7)
D1(6) D1(5) D1(4) D1(3) D1(2) D1(1) D1(0)
HZ
(input)
D2(7)
D2(6) D2(5) D2(4) D2(3) D2(2) D2(1) D2(0)
HZ
(input)
? 2010–2011 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS70622C-page 25
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| MRF8HP21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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