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参数资料
| 型号： | MRF89XAT-I/MQ |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 105/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RF ISM BAND TXRX 32 QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 863MHz ~ 870MHz，902MHz ~ 928MHz，950MHz ~ 960MHz |
| 数据传输率 - 最大： | 200kbps |
| 调制或协议： | FSK，OOK |
| 应用： | ISM |
| 功率 - 输出： | 12.5dBm |
| 灵敏度： | -113dBm |
| 电源电压： | 2.1 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 接收： | 3mA |
| 电流 - 传输： | 25mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 存储容量： | * |
| 天线连接器： | PCB，表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF89XAT-I/MQDKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页当前第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页
MRF89XA
TABLE 5-3:
DIGITAL I/O PIN INPUT SPECIFICATIONS (1)
Symbol
V IL
V IH
I IL
I IH
V OL
V OH
Characteristic
Input Low Voltage
Input High Voltage
Input Low Leakage Current (2)
Input High Leakage Current
Digital Low Output Voltage
Digital Low Output
Min
—
0.8 * V DD
-0.5
-0.5
—
0.9 * V DD
Typ
—
—
—
—
—
—
Max
0.2 * V DD
—
0.5
0.5
0.1 * V DD
—
Unit
V
V
μA
μA
—
V
Condition
—
—
V IL = 0V
V IH = V DD , V DD = 3.7
I OL = 1 mA
I OH = -1 mA
Note 1:
2:
3:
Measurement Conditions: T A = 25°C, V DD = 3.3V, crystal frequency = 12.8 MHz, unless otherwise
specified.
Negative current is defined as the current sourced by the pin.
On Pin 10 (OSC1) and 11 (OSC2), maximum voltages of 1.8V can be applied.
TABLE 5-4:
PLL PARAMETERS AC CHARACTERISTICS (1)
Symbol
FRO
Parameter
Frequency Ranges
Min
863
902
Typ
—
—
Max
870
928
Unit
MHz
MHz
Condition
Programmable but requires
specific BOM
950
—
960
MHz
BRFSK
BROOK
FDFSK
FXTAL
FSSTP
Bit Rate (FSK)
Bit Rate (OOK)
Frequency Deviation (FSK)
Crystal Oscillator Frequency
Frequency Synthesizer Step
1.56
1.56
33
9
—
—
—
50
12.8
2
200
32
200
15
—
kbps
kbps
kHz
MHz
kHz
NRZ
NRZ
—
—
Variable, depending on the fre-
quency
TSOSC
TSFS
Oscillator Wake-up Time
Frequency Synthesizer Wake-
—
—
1.5
500
5
800
ms
μs
From Sleep mode (1)
From Stand-by mode
up Time; at most, 10 kHz
away from the Target
TSHOP
Frequency Synthesizer Hop
Time; at most, 10 kHz away
from the Target
—
—
—
—
—
—
—
180
200
250
260
290
320
340
—
—
—
—
—
—
—
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
200 kHz step
1 MHz step
5 MHz step
7 MHz step
12 MHz step
20 MHz step
27 MHz step
Note 1:
Guaranteed by design and characterization
? 2010–2011 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS70622C-page 105
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| MRF8HP21080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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