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参数资料
| 型号： | MRF89XAT-I/MQ |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RF ISM BAND TXRX 32 QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 863MHz ~ 870MHz，902MHz ~ 928MHz，950MHz ~ 960MHz |
| 数据传输率 - 最大： | 200kbps |
| 调制或协议： | FSK，OOK |
| 应用： | ISM |
| 功率 - 输出： | 12.5dBm |
| 灵敏度： | -113dBm |
| 电源电压： | 2.1 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 接收： | 3mA |
| 电流 - 传输： | 25mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 存储容量： | * |
| 天线连接器： | PCB，表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF89XAT-I/MQDKR |
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MRF89XA
All critical RF and baseband functions are integrated in
the MRF89XA, which minimizes the external
component count and reducing design time. The RF
communication parameters are made programmable
and most of them may be dynamically set. A
microcontroller, RF SAW filter, 12.8 MHz crystal and a
few passive components are required to create a
complete, reliable radio function. The MRF89XA uses
several low-power mechanisms to reduce overall
current consumption and extend battery life. Its small
size and low-power consumption makes the MRF89XA
ideal for a wide variety of short range radio
applications. The MRF89XA complies with European
(ETSI EN 300-220) and United States (FCC Part
15.247 and 15.249) regulatory standards.
Pin Diagram
Figure 1 illustrates the top view pin arrangement of the
32-pin QFN package.
FIGURE 1:
32-Pin QFN
MRF89XA 32-PIN QFN PIN DIAGRAM
32
31
30
29
28
27
26
25
TEST5
1
24
TEST2
TEST1
VCORS
VCOTN
2
3
4
33 GND (1)
23
22
21
PLOCK
IRQ1
IRQ0
MRF89XA
VCOTP
PLLN
PLLP
TEST6
5
6
7
8
20
19
18
17
DATA
CLKOUT
SCK
SDI
9
10
11
12
13
14
15
16
Note 1: Pin 33 (GND) is located on the underside of the IC package.
2: It is recommended to connect Pin 32 (NC) to GND.
DS70622C-page 4
Preliminary
? 2010–2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 241-5-12L | XFRMR PWR 115V 12.6VCT 1A LEADS |
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| ST-5-56 | XFRMR PWR 115V 28V 440MA 12VA |
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| ST-5-48 | XFRMR PWR 115V 24V 500MA 12VA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8HP21080HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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