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参数资料
| 型号： | MRF89XAT-I/MQ |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 109/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RF ISM BAND TXRX 32 QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 863MHz ~ 870MHz，902MHz ~ 928MHz，950MHz ~ 960MHz |
| 数据传输率 - 最大： | 200kbps |
| 调制或协议： | FSK，OOK |
| 应用： | ISM |
| 功率 - 输出： | 12.5dBm |
| 灵敏度： | -113dBm |
| 电源电压： | 2.1 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 接收： | 3mA |
| 电流 - 传输： | 25mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 存储容量： | * |
| 天线连接器： | PCB，表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF89XAT-I/MQDKR |
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MRF89XA
5.3.2
OPTIMIZED TRANSMIT CYCLE
FIGURE 5-2:
MRF89XA
IDD
IDDT
16 mA typ. @1 dBm
IDDFS
1.3 mA typ.
IDDST
65 μA typ.
IDDSL
100 nA typ.
OPTIMIZED TX CYCLE
TX
Time
MRF89XA can be put in
Any other mode
Wait
TSTR
Data transmission can start in
Continuous and Buffered
modes
Wait
TSFS
Set MRF89XA in TX mode
Packet mode starts its operation
Wait
TSOSC
Set MRF89XA in FS mode
Wait for PLL settling
Set MRF89XA in Stand-by mode
Wait for OSC settling
Note
1:
TSFS time can be improved by using the external lock detector pin as an external interrupt trigger.
? 2010–2011 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS70622C-page 109
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 241-5-12L | XFRMR PWR 115V 12.6VCT 1A LEADS |
| DPC-40-250 | XFRMR PWR 115/230V 40VCT 250MA |
| ST-5-56 | XFRMR PWR 115V 28V 440MA 12VA |
| 6221 | TIP STAIN-STEEL SHARP-PT .06"DMM |
| ST-5-48 | XFRMR PWR 115V 24V 500MA 12VA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8HP21080HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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