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参数资料
| 型号： | MRF89XAT-I/MQ |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 98/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RF ISM BAND TXRX 32 QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 863MHz ~ 870MHz，902MHz ~ 928MHz，950MHz ~ 960MHz |
| 数据传输率 - 最大： | 200kbps |
| 调制或协议： | FSK，OOK |
| 应用： | ISM |
| 功率 - 输出： | 12.5dBm |
| 灵敏度： | -113dBm |
| 电源电压： | 2.1 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 接收： | 3mA |
| 电流 - 传输： | 25mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 存储容量： | * |
| 天线连接器： | PCB，表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF89XAT-I/MQDKR |
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MRF89XA
4.4.4
PLL LOOP FILTER
It is recommended that a pair of high Q factor inductors
To adequately reject spurious components arising from
the comparison frequency F COMP , an external second
order loop filter is used. Figure 4-7 illustrates the loop
filter circuit.
is selected. These should be mounted orthogonally to
other inductors (in particular the PA choke) to reduce
spurious coupling between the PA and VCO. These
measures may reduce radiated pulling effects and
undesirable transient behavior, thus minimizing spec-
FIGURE 4-7:
Loop Filter
tral occupancy. Ensuring a symmetrical layout of the
VCO inductors will improve PLL spectral purity.
RL1
4.5
V DD Line Filtering
PLLP
During the Reset event (caused by power-on, a glitch
on the supply line or a software Reset), the V DD line
CL2
CL1
PLLN
should be kept clean. Noise or a periodic disturbing sig-
nal superimposed on the supply voltage may prevent
the device from getting out of the Reset state. To avoid
this, adequate filters should be made available on the
power supply lines to keep the distorting signal level
below 100-150 mV peak-to-peak, in the DC to 50 kHz
range for 200 ms, from V DD ramp start. The usage of
The recommendations made in Section 3.2.4.1, PLL
Requirements and the loop filter proposed in the appli-
cation schematic’s BOM in Section 4.7, Bill of Materials
can be used. The loop filter settings are frequency
band independent and are hence relevant to all imple-
mentations of the MRF89XA.
regulators or switching power supplies may sometimes
introduce switching noise on the V DD line, hence follow
the power supply manufacturer ’s recommendations on
how to decrease the ripple of regulator IC and/or how
to shift the switching frequency.
4.4.5
VOLTAGE CONTROLLED
OSCILLATOR (VCO)
4.6
Crystal Specification and
Selection Guidelines
The integrated VCO requires only two external tank cir-
cuit inductors. As the input is differential, the two induc-
tors should have the same nominal value. The
performance of these components is important for both
the phase noise and the power consumption of the
PLL.
Table 4-2 lists the crystal resonator specification for the
crystal reference oscillator circuit of the MRF89XA.
This specification covers the full range of operation of
the MRF89XA and is used in the application schematic
(for more information, see Section 4.7, Bill of Materi-
als ).
TABLE 4-2:
CRYSTAL RESONATOR SPECIFICATION
Name
f xtal
CLOAD
R M
C O
Δ f xtal
Δ f xtal ( Δ T)
Δ f xtal ( Δ t)
Description
Nominal frequency
Load capacitance for f xtal
Motional resistance
Shunt capacitance
Calibration tolerance at 25+/-3°C
Stability over temperature range [-40°C; +85°C]
Aging (first year)
Minimum
9
10
—
1
-15
-20
5
Typical
12.800
15
—
—
—
—
—
Maximum
15
16.5
100
7
+15
+20
5
Units
MHz
pF
Ohms
pF
ppm
ppm
ppm
Note:
The initial frequency tolerance, temperature stability and ageing performance should be chosen in
accordance with the target operating temperature range and the receiver bandwidth selected.
DS70622C-page 98
Preliminary
? 2010–2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 241-5-12L | XFRMR PWR 115V 12.6VCT 1A LEADS |
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| ST-5-56 | XFRMR PWR 115V 28V 440MA 12VA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF8HP21080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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