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参数资料
| 型号： | MRF89XAT-I/MQ |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 20/140页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RF ISM BAND TXRX 32 QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 863MHz ~ 870MHz，902MHz ~ 928MHz，950MHz ~ 960MHz |
| 数据传输率 - 最大： | 200kbps |
| 调制或协议： | FSK，OOK |
| 应用： | ISM |
| 功率 - 输出： | 12.5dBm |
| 灵敏度： | -113dBm |
| 电源电压： | 2.1 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 接收： | 3mA |
| 电流 - 传输： | 25mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 存储容量： | * |
| 天线连接器： | PCB，表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF89XAT-I/MQDKR |
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MRF89XA
2.9.1
TRANSMITTER ARCHITECTURE
In OOK mode, the phase difference between the I and
Figure 2-6 illustrates the transmitter architecture block
diagram. The baseband I and Q signals are digitally
generated by a DDS whose Digital-to-Analog
Converters (DAC) followed by two anti-aliasing low-
pass filters transform the digital signal into analog in-
phase (I) and quadrature (Q) components whose
frequency is the selected frequency deviation, is set
using the FDVAL<7:0> bits from FDEVREG<7:0>.
In FSK mode, the relative phase of I and Q is switched
by the input data between -90° and +90° with continu-
ous phase. The modulation is therefore performed at
this initial stage, because the information contained in
the phase difference will be converted into a frequency
shift when the I and Q signals are up-converted in the
first mixer stage. This first up-conversion stage is dupli-
cated to enhance image rejection. The FSK convention
is such that:
DATA = 1 → f rf + f dev
DATA = 0 → f rf – f dev
Q channels is kept constant (independent of the
transmitted data). Thus, the first stage of up-conversion
creates a fixed frequency signal at the low IF = f dev (this
explains why the transmitted OOK spectrum is offset by
f dev ). OOK Modulation is accomplished by switching the
PA and PA regulator stages ON and OFF. By
convention:
DATA = 1 → PAon
DATA = 0 → PAoff
After the interpolation filters, a set of four mixers
combines the I and Q signals and converts them into a
pair of complex signals at the second intermediate
frequency, equal to one-eighth of the LO frequency, or
one-ninth of the RF frequency. These two new I and Q
signals are then combined and up-converted to the
final RF frequency by two quadrature mixers fed by the
LO signal. The signal is pre-amplified, and then the
transmitter output is driven by a final power amplifier
stage. The I and Q signal details are illustrated in
Figure 2-7 .
FIGURE 2-7:
I(t), Q(t) Signals Overview
1
Fdev
I(t)
Q(t)
DS70622C-page 20
Preliminary
? 2010–2011 Microchip Technology Inc.
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| MRF8HP21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21130HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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