参数资料
型号: MRF89XAT-I/MQ
厂商: Microchip Technology
文件页数: 139/140页
文件大小: 0K
描述: RF ISM BAND TXRX 32 QFN
标准包装: 1
频率: 863MHz ~ 870MHz,902MHz ~ 928MHz,950MHz ~ 960MHz
数据传输率 - 最大: 200kbps
调制或协议: FSK,OOK
应用: ISM
功率 - 输出: 12.5dBm
灵敏度: -113dBm
电源电压: 2.1 V ~ 3.6 V
电流 - 接收: 3mA
电流 - 传输: 25mA
数据接口: PCB,表面贴装
存储容量: *
天线连接器: PCB,表面贴装
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 32-WFQFN 裸露焊盘
包装: 标准包装
其它名称: MRF89XAT-I/MQDKR
MRF89XA
PRODUCT IDENTIFICATION SYSTEM
To order or obtain information, for example, on pricing or delivery, refer to the factory or the listed sales office .
PART NO.
X
/XX
XXX
Example:
a)
MRF89XA-I/MQ: Industrial temperature,
Device
Temperature
Range
Package
Pattern
b)
QFN package.
MRF89XAT-I/MQ: Industrial temperature,
QFN package, tape and reel.
Device
MRF89XA: Ultra Low-Power, Integrated ISM Band Sub-GHz Transceiver
Temperature
Range
I
= -40oC to +85oC (Industrial)
Package
MQ = QFN (Quad Flat, No Lead)
T = Tape and Reel
? 2010–2011 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS70622C-page 139
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PDF描述
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MRF8HP21080HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8HP21080HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8HP21080HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8HP21130HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray