- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录229297 > MT46V32M8BG-6AT:G 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MT46V32M8BG-6AT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | (8 X 14) MM, LEAD FREE,PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 14/93页 |
| 文件大小： | 3632K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页当前第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页
PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DDR_x4x8x16_Core2.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
19
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Electrical Specifications – DC and AC
Table 11:
DC Electrical Characteristics and Operating Conditions (-6, -6T, -75E, -75Z, -75)
Notes: 1–5, 17 apply to the entire table; Notes appear on page 35; VDDQ = +2.5V ±0.2V, VDD = +2.5V ±0.2V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Units
Notes
Supply voltage
VDD
+2.3
+2.7
V
I/O supply voltage
VDDQ
+2.3
+2.7
V
I/O reference voltage
VREF
0.49 × VDDQ
0.51 × VDDQ
V
I/O termination voltage (system)
VTT
VREF - 0.04
VREF + 0.04
V
Input high (logic 1) voltage
VIH(DC)VREF + 0.15
VDD + 0.3
V
Input low (logic 0) voltage
VIL(DC)–0.3
VREF - 0.15
V
Input leakage current:
Any input 0V
≤ VIN ≤ VDD, VREF pin 0V ≤ VIN ≤ 1.35V
(All other pins not under test = 0V)
II
–2
+2
A
Output leakage current:
(DQ are disabled; 0V
≤ VOUT ≤ VDDQ)
IOZ
–5
+5
A
Full-drive option output
levels (x4, x8, x16):
High current (VOUT =
VDDQ - 0.373V, minimum
VREF, minimum VTT)
IOH
–16.8
–
mA
Low current (VOUT =
0.373V, maximum VREF,
maximum VTT)
IOL
+16.8
–
mA
Reduced-drive option
output levels (Design
Revision F and K only):
High current (VOUT =
VDDQ - 0.763V, minimum
VREF, minimum VTT)
IOHR
–9
–
mA
Low current
(VOUT =
0.763V, maximum VREF,
maximum VTT)
IOLR
+9
–
mA
Ambient operating
temperatures
Commercial
TA
0+70
°C
Industrial
TA
–40
+85
°C
Automotive
TA
–40
+105
°C
Table 12:
AC Input Operating Conditions
0°C
≤ T
A ≤ +70°C; VDDQ = +2.5V ±0.2V, VDD = +2.5V ±0.2V (VDDQ = +2.6V ±0.1V, VDD = +2.6V ±0.1V for -5B)
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Units
Notes
Input high (logic 1) voltage
VIH(AC)VREF + 0.310
–
V
Input low (logic 0) voltage
VIL(AC)–
VREF - 0.310
V
I/O reference voltage
VREF(AC)
0.49 × VDDQ
0.51 × VDDQV
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F800FB55N3E2 | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
| MC12L1NZGF | ROTARY SWITCH-12POSITIONS, SP12T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| MD00S1NCQF | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| MD06L1NZGD | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| MD06L2NCQD | ROTARY SWITCH-6POSITIONS, DP6T, LATCHED, 0.25A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。