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参数资料
| 型号： | MT46V32M8BG-6AT:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封装： | (8 X 14) MM, LEAD FREE,PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件页数： | 45/93页 |
| 文件大小： | 3632K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页当前第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页
PDF: 09005aef80768abb/Source: 09005aef82a95a3a
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
DDR_x4x8x16_Core1.fm - 256Mb DDR: Rev. O, Core DDR: Rev. B 1/09 EN
4
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
State Diagram
Figure 2:
Simplified State Diagram
Note:
This diagram represents operations within a single bank only and does not capture concur-
rent operations in other banks.
Power
on
Power
applied
REFS
LMR
REFA
REFSX
ACT
CKE LOW
CKEL
CKE HIGH
CKEH
PRE
Precharge
all banks
MR
EMR
Self
refresh
Idle
all banks
precharged
Row
active
Burst
stop
Read
Read A
Automatic sequence
Command sequence
Write
WRITE
Write A
WRITE A
Precharge
PREALL
Active
power-
down
Precharge
power-
down
Auto
refresh
PRE
WRITE A
READ A
PRE
READ A
READ
BST
ACT = ACTIVE
BST = BURST TERMINATE
CKEH = Exit power-down
CKEL = Enter power-down
EMR = Extended mode register
LMR = LOAD MODE REGISTER
MR = Mode register
PRE = PRECHARGE
PREALL = PRECHARGE all banks
READ A = READ with auto precharge
REFA = AUTO REFRESH
REFS = Enter self refresh
REFSX = Exit self refresh
WRITE A = WRITE with auto precharge
PRE
LMR
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